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J-GLOBAL ID：201802234160142846   整理番号：18A2041523

りんドープNCD膜の構造特性評価と発光特性【JST・京大機械翻訳】

Structural characterization and emission properties of phosphorus-doped NCD films

著者 (6件)： Kato Hiromitsu (Advanced power electronics research center, AIST, Tsukuba Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Yamada Takatoshi (Nanomaterials research institute, AIST, Tsukuba Ibaraki 305-8565, Japan) ,  Ohkawa Yasushi (Research unit II, Research and development directorate, JAXA, Chofu Tokyo, 182-8522, Japan) ,  Ogura Masahiko (Advanced power electronics research center, AIST, Tsukuba Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Makino Toshiharu (Advanced power electronics research center, AIST, Tsukuba Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Yamasaki Satoshi (Advanced power electronics research center, AIST, Tsukuba Ibaraki 305-8568, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： IVNC  ページ： 1-3  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 冷陰極応用のために,H_2,CH_4およびPH_3ガス混合物を用いたプラズマ増強CVDにより,n型シリコン基板上にリンドープNCD膜を成長させた。構造特性を,室温,走査電子顕微鏡,透過型電子顕微鏡,および電子エネルギーのない分光法において,532nmの緑色レーザを用いたRaman分光法によって特性評価した。成長した膜は良好な伝導率を示し,約20~100nmのサイズのsp3ダイヤモンド利得とsp2結晶粒界の組合せを持つ典型的な構造を有していた。電子放出特性を単結晶,NCD膜,及びチップアレイNCDと比較して特性化した。チップアレイNCDは,より低い閾値電場とより高い飽和電流を有する良好な発光特性を示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 単結晶 ,  透過型電子顕微鏡 ,  利得 ,  混合気体 ,  *構造特性 ,  ダイヤモンド ,  *キャラクタリゼーション ,  走査電子顕微鏡 ,  電場 ,  電子放出 ,  結晶粒界 ,  *ドーピング
準シソーラス用語： 飽和電流 ,  冷陰極 ,  *発光特性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (3件)： ドープ ,  特性評価 ,  発光特性