研究者
J-GLOBAL ID：200901071095085280
更新日: 2022年08月18日
山崎 聡
ヤマサキ サトシ | Yamasaki Satoshi
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所属機関・部署：
独立行政法人産業技術総合研究所 エネルギー技術研究部門
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ホームページURL (1件)：
http://www.aist.go.jp/RESEARCHERDB/cgi-bin/worker_detail.cgi?call=namae&rw_id=S85419614
研究分野 (2件)：
無機材料、物性
, 電子デバイス、電子機器
研究キーワード (8件)：
高温動作
, パワー半導体デバイス
, EL 電子デバイス
, パワーデバイス
, エレクトロニクス材料
, 高さ標準
, 励起子発光
, ダイヤモンド
競争的資金等の研究課題 (1件)：
半導体・絶縁膜の欠陥構造
MISC (88件)：
Sung-Gi Ri, Hideyuki Watanabe, Masahiko Ogura, Daisuke Takeuchi, Satoshi Yamasaki, Hideyo Okushi. Hydrogen plasma etching mechanism on (001) diamond. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2006. 293. 2. 311-317
Y. Yamazaki, K. Ishikawa, N. Mizuochi, S. Yamasaki. Structure of diamond surface defective layer damaged by hydrogen ion beam exposure. DIAMOND AND RELATED MATERIALS. 2006. 15. 4-8. 703-706
K Ishikawa, Y Yamaoka, M Nakamura, Y Yamazaki, S Yamasaki, Y Ishikawa, S Samukawa. Surface reactions during etching of organic low-k films by plasmas of N-2 and H-2. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2006. 99. 8. 083305-1-083305-6
Y Yamazaki, K Ishikawa, S Samukawa, S Yamasaki. Defect creation in diamond by hydrogen plasma treatment at room temperature. PHYSICA B-CONDENSED MATTER. 2006. 376. 327-330
D. Takeuchi, C. E. Nebel, S. Yamasaki. Photoelectron emission properties of hydrogen terminated intrinsic diamond. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2006. 99. 8. 086102-1-086102-3
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学位 (1件)：
理学博士
所属学会 (1件)：
Japan Society of Applied Physics
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