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J-GLOBAL ID：201802234240182811   整理番号：18A0195526

パワーMOSFETとIGBTのためのスマートゲートドライバICにおける設計の傾向【Powered by NICT】

Design trends in smart gate driver ICs for power MOSFETs and IGBTs

著者 (2件)： Chen J. (The Edward S. Rogers Sr. Department of Electrical and Computer Engineering, University of Toronto, 10 King’s College Rd. Toronto ON Canada M5S3G4) ,  Ng W. T. (The Edward S. Rogers Sr. Department of Electrical and Computer Engineering, University of Toronto, 10 King’s College Rd. Toronto ON Canada M5S3G4)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ASICON  ページ： 112-115  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パワーMOSFETとIGBTはパワーエレクトロニクスシステムに広く用いられている。Siパワーデバイス技術は,その理論的性能限界に達しているので,素子性能をさらに改善するためにゲートドライバの設計されているますますの努力。スマートゲートドライバICのための最近の動向は,様々な複合体の機能を統合した。最近のスマート統合ゲートドライバの設計を明らかにした。特に,TSMCの0.18μmB CD Gen-2技術を用いて実装したディジタル処理のための統合コレクタ電流センサとオンチップCPUを持つスマートIGBTゲートドライバICを提示した。この新しい電流監視方式では,ゲート端子でのみ低電圧信号を処理し,集熱器/負荷側に高電圧信号を扱う必要なしにする必要がある。スマートゲート駆動ICはターンオフのターンオン及び150Aと130Aの電流範囲内で±1Åの精度で電流測定値を提供することができる。局所電流調節は,付加的な個別部品または外部ディジタル制御装置なしで達成することができた。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ディジタル制御 ,  *IGBT ,  ケイ素 ,  ターンオン ,  電流 ,  電流センサ ,  電流測定 ,  複合体
準シソーラス用語： オンチップ ,  パワーデバイス ,  *ドライバIC ,  *パワーMOSFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 電力変換器  (NB08030B) ,  固体デバイス一般  (NC03010Z)

タイトルに関連する用語 (6件)： パワーMOSFET ,  IGBT ,  ゲート ,  ドライバIC ,  設計 ,  傾向