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J-GLOBAL ID：201802234275449478   整理番号：18A2034595

ニッケルドーピングによるGe_2Sb_2Te_5材料の性能改善:RF適合相変化デバイスに向けて【JST・京大機械翻訳】

Improving the performance of Ge₂Sb₂Te₅ materials via nickel doping: Towards RF-compatible phase-change devices

著者 (9件)： Guo Pengfei (Department of Electro-Optics and Photonics, University of Dayton, Dayton, Ohio 45469, USA) ,  Burrow Joshua A. (Department of Electro-Optics and Photonics, University of Dayton, Dayton, Ohio 45469, USA) ,  Sevison Gary A. (Department of Electro-Optics and Photonics, University of Dayton, Dayton, Ohio 45469, USA) ,  Sood Aditya (Department of Electrical Engineering, Stanford University, Stanford, California 94305, USA) ,  Asheghi Mehdi (Department of Mechanical Engineering, Stanford University, Stanford, California 94305, USA) ,  Hendrickson Joshua R. (Air Force Research Laboratory, Sensors Directorate, Wright-Patterson AFB, Ohio 45433, USA) ,  Goodson Kenneth E. (Department of Mechanical Engineering, Stanford University, Stanford, California 94305, USA) ,  Agha Imad (Department of Electro-Optics and Photonics, University of Dayton, Dayton, Ohio 45469, USA) ,  Sarangan Andrew (Department of Electro-Optics and Photonics, University of Dayton, Dayton, Ohio 45469, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 113  号： 17  ページ： 171903-171903-5  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ge_2Sb_2Te_5(GST)の高速電気スイッチングは,低伝導度非晶質状態と高伝導度結晶状態の間の大きなインピーダンス不整合のために,挑戦的な仕事のままである。このレターでは,非晶質と結晶状態の間の抵抗コントラストをほぼ3桁減少させるために,ニッケルを用いた効果的なドーピング方式を実証した。最も重要なことに,著者らの結果は,ドーピングが膜の光学的性質に悪影響を及ぼすことなく望ましい電気的性能を生み出すことを示した。ニッケルのドーピングレベルは約2%であり,格子構造は,ドープされたGSTと比較してほとんど変わらないままである。非晶質および結晶状態における屈折率を,X線回折の結果を反響する偏光解析法を用いて得た。材料の熱輸送特性を時間領域熱反射率を用いて測定し,ドーピングによる変化を示さなかった。このドーピングシステムの利点は,近赤外スペクトルにおける電気的に再構成可能な高速光学素子を設計する機会を開くであろう。Copyright 2018 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 非晶質 ,  *相転移 ,  高速度 ,  光学素子 ,  X線回折 ,  屈折率 ,  スイッチング ,  コントラスト ,  *ドーピング ,  光学的性質 ,  *ニッケル ,  格子構造 ,  偏光解析法 ,  近赤外スペクトル
準シソーラス用語： 伝導率 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固相転移  (BL04020G) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： ニッケル ,  ドーピング ,  性能改善 ,  RF ,  相変化