文献

J-GLOBAL ID：201802234295037349   整理番号：18A0588584

10Kまでのアナログパラメータに及ぼすIn_xGa_1xAs nTFETsのソース側におけるZn拡散過程の影響【Powered by NICT】

Impact of the Zn diffusion process at the source side of In_xGa_1-xAs nTFETs on the analog parameters down to 10 K

著者 (11件)： Bordallo C. (LSI/PSI/USP, University of Sao Paulo, Sao Paulo, Brazil) ,  Martino J. (LSI/PSI/USP, University of Sao Paulo, Sao Paulo, Brazil) ,  Agopian P. (LSI/PSI/USP, University of Sao Paulo, Sao Paulo, Brazil) ,  Alian A. (Imec, Leuven, Belgium) ,  Mols Y. (Imec, Leuven, Belgium) ,  Rooyackers R. (Imec, Leuven, Belgium) ,  Vandooren A. (Imec, Leuven, Belgium) ,  Verhulst A. (Imec, Leuven, Belgium) ,  Simoen E. (Imec, Leuven, Belgium) ,  Claeys C. (Imec, Leuven, Belgium) ,  Collaert N. (Imec, Leuven, Belgium)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： S3S  ページ： 1-3  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,源におけるZn拡散過程とIn_xGa_1xAs nTFET用インジウムの量の影響を解析し,塩基性類似体パラメータに焦点を当てた。三種類の分割を分析した:源におけるスピンオングラス(SoG)Zn拡散を伴うIn_0In0.53Ga_0Ga0.47As,源における気相Zn拡散を伴うSoGとIn_0In0.53Ga_0Ga0.47Asを用いたIn_0 7Ga_0 3として。気相素子のイオン増加は,トンネル長さを減少させることをその高いソース/チャネル接合急峻性に関連付けることができた。気相デバイスは優れた閾値下スイング,弱い伝導領域におけるトランジスタ効率を増加させるを示した。気相デバイスはその重要な出力コンダクタンス(g_D)分解のために高いゲート電圧(V_GS)値の最低固有電圧利得(A_V)を示したしかし,温度の低下はgm以上g_D影響,両SoG分割と比較して気相素子では,10Kで20dB以上A_Vの改善をもたらした。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *拡散過程 ,  チャネル ,  *亜鉛 ,  イオン ,  気相 ,  塩基性 ,  コンダクタンス ,  接合 ,  類似物質 ,  トランジスタ
準シソーラス用語： 電圧利得 ,  ゲート電圧 ,  スピンオングラス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： アナログ ,  パラメータ ,  ソース ,  Zn ,  拡散過程