文献

J-GLOBAL ID：201802234402029395   整理番号：18A0942153

近弾道輸送による超微細GeナノワイヤnMOSFETにおける移動度ゆらぎ誘起低周波雑音【JST・京大機械翻訳】

Mobility Fluctuation-Induced Low-Frequency Noise in Ultrascaled Ge Nanowire nMOSFETs With Near-Ballistic Transport

著者 (7件)： Wu Wangran (Birck Nanotechnology Center, School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN, USA) ,  Wu Heng (Birck Nanotechnology Center, School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN, USA) ,  Sun Weifeng (National ASIC System Engineering Research Center, Southeast University, Nanjing, China) ,  Si Mengwei (Birck Nanotechnology Center, School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN, USA) ,  Conrad Nathan (Birck Nanotechnology Center, School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN, USA) ,  Zhao Yi (Department of Information Science and Electronic Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, China) ,  Ye Peide D. (Birck Nanotechnology Center, School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 65  号： 6  ページ： 2573-2577  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,サブ100nmチャネル長のGeナノワイヤ(NW)nMOSFETにおける低周波雑音を研究した。1/f特性をもつ低周波雑音はキャリアの移動度ゆらぎから生じることを証明した。Hoogeパラメータを評価することにより,NW形状,チャネル長,等価酸化物厚さ(EOT),チャネルドーピング濃度に対する低周波雑音の依存性を調べた。Ge NW nMOSFETのチャネル長が小さくなると,低周波雑音が減少することを示した。これは,弾道輸送に近い電子に起因している。電子はNWの側壁下または高度にドープされたチャネル内のチャネルにおいてより多くの散乱を受ける。ゲート酸化物の最適化はEOTのスケーリングダウンで強く要求される。超冷却Ge NW nMOSFETはオン状態性能の増強と低周波雑音の抑制を同時に約束する。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *バリスティック輸送 ,  ドーピング ,  *ゲルマニウム ,  最適化 ,  *ナノワイヤ ,  *低周波雑音 ,  チャネル ,  *移動度 ,  酸化物 ,  *ゆらぎ
準シソーラス用語： オン状態 ,  スケールダウン ,  ゲート酸化膜 ,  チャネル長 ,  *nMOSFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： 弾道輸送 ,  超微細 ,  Ge ,  ナノワイヤ ,  nMOSFET ,  移動度 ,  ゆらぎ ,  誘起 ,  低周波雑音