Wu Wangran について
Birck Nanotechnology Center, School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN, USA について
Wu Heng について
Birck Nanotechnology Center, School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN, USA について
Sun Weifeng について
National ASIC System Engineering Research Center, Southeast University, Nanjing, China について
Si Mengwei について
Birck Nanotechnology Center, School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN, USA について
Conrad Nathan について
Birck Nanotechnology Center, School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN, USA について
Zhao Yi について
Department of Information Science and Electronic Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, China について
Ye Peide D. について
Birck Nanotechnology Center, School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN, USA について
IEEE Transactions on Electron Devices について
バリスティック輸送 について
ドーピング について
ゲルマニウム について
最適化 について
ナノワイヤ について
低周波雑音 について
チャネル について
移動度 について
酸化物 について
ゆらぎ について
オン状態 について
スケールダウン について
ゲート酸化膜 について
チャネル長 について
nMOSFET について
トランジスタ について
弾道輸送 について
超微細 について
Ge について
ナノワイヤ について
nMOSFET について
移動度 について
ゆらぎ について
誘起 について
低周波雑音 について