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J-GLOBAL ID：201802234544216316   整理番号：18A0434948

二次元InSeにおけるn型伝導率の起源:表面吸着とvan der WaalsギャップからのIn原子【Powered by NICT】

Origin of n-type conductivity in two-dimensional InSe: In atoms from surface adsorption and van der Waals gap

著者 (7件)： Wang Hui (State Key Laboratory for Artificial Microstructures and Mesoscopic Physics, School of Physics, Peking University, Beijing 100871, China) ,  Shi Jun-jie (State Key Laboratory for Artificial Microstructures and Mesoscopic Physics, School of Physics, Peking University, Beijing 100871, China) ,  Huang Pu (State Key Laboratory for Artificial Microstructures and Mesoscopic Physics, School of Physics, Peking University, Beijing 100871, China) ,  Ding Yi-min (State Key Laboratory for Artificial Microstructures and Mesoscopic Physics, School of Physics, Peking University, Beijing 100871, China) ,  Wu Meng (State Key Laboratory for Artificial Microstructures and Mesoscopic Physics, School of Physics, Peking University, Beijing 100871, China) ,  Cen Yu-lang (State Key Laboratory for Artificial Microstructures and Mesoscopic Physics, School of Physics, Peking University, Beijing 100871, China) ,  Yu Tongjun (State Key Laboratory for Artificial Microstructures and Mesoscopic Physics, School of Physics, Peking University, Beijing 100871, China)
資料名： Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures  (Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures)
巻： 98  ページ： 66-73  発行年： 2018年 
JST資料番号： W1066A  ISSN： 1386-9477  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近,二次元(2D)InSeナノシートはその優れた電子輸送,ワイドバンドギャップ同調性と良好な金属接触による電子および光電子ナノデバイスのための有望な材料となっている。避けられない固有点欠陥がその特性とデバイス性能を決定する上で重要である。ここでは,最も重要な固有欠陥の欠陥形成エネルギーと熱力学的遷移準位を検討し,強力な第一原理計算を用いて非意図的にドープした2次元InSeにおけるn型伝導の物理的起源を明らかにした。表面で吸着原子及びSe空格子点の両方が重要な欠陥であることを見出し,In吸着原子,宿主への0.65電子を供給されたはInリッチ条件下で単分子層InSeにおけるn型導電性を引き起こす。二層または数層InSeのために,InSeへの0.68電子移動,van der Waalsギャップ内では格子間原子は最も安定なドナー欠陥,n型特性を支配することが分かった。著者らの結果は,2D InSeの欠陥性質と関連したナノデバイス性能の改善を理解するために重要である。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電荷分布 ,  熱力学 ,  電子移動 ,  *二次元 ,  ナノシート ,  単分子層 ,  ドナー ,  ドーピング ,  *セレン ,  *インジウム ,  格子間原子
準シソーラス用語： 吸着原子 ,  第一原理計算 ,  電子輸送 ,  *InSe , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 2次元InSe ,  固有欠陥 ,  欠陥形成エネルギー ,  熱力学的転移 ,  Baderは電荷分布 ,  第一原理計算

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (6件)： InSe ,  N型伝導 ,  起源 ,  表面吸着 ,  VAN ,  ギャップ