文献

J-GLOBAL ID：201802234565501236   整理番号：18A0336075

エッジ接触グラフェンMoS_2ヘテロ構造の電子及び輸送特性に対する第一原理研究【Powered by NICT】

First principles studies on electronic and transport properties of edge contact graphene-MoS₂ heterostructure

著者 (6件)： Sun Jie (State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, 250100 Jinan, Shandong, PR China) ,  Lin Na (State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, 250100 Jinan, Shandong, PR China) ,  Tang Cheng (State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, 250100 Jinan, Shandong, PR China) ,  Wang Haoyuan (State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, 250100 Jinan, Shandong, PR China) ,  Ren Hao (State Key Laboratory of Heavy Oil Processing & Center for Bioengineering and Biotechnology, China University of Petroleum (East China), 266580 Qingdao, PR China) ,  Zhao Xian (State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, 250100 Jinan, Shandong, PR China)
資料名： Computational Materials Science  (Computational Materials Science)
巻： 133  ページ： 137-144  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0443A  ISSN： 0927-0256  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェン電極を用いたMoS_2チャネル横方向接続に基づくナノデバイスが最近の実験で作製した。本論文では,第一原理計算は,グラフェンMoS_2ヘテロ構造の接触形状と電気的性質の間の関係を明らかにするために実施した。アームチェアアームチェア,ジグザグアームチェア,アームチェアジグザグ,ジグザグジグザグ,グラフェンとMoS_2間の四種の異なる接触端を調べた。計算はMoS_2はグラフェンを用いた接合形成の結果として金属であることを示した。Fermi準位に位置する金属状態は主に接触界面で,Mo原子の4d状態,ならびに両SとC原子の2p状態によって支配されている。グラフェンMoS_2の異なる接触形状は接触界面における異なる電荷移動値をもたらした。バンドアラインメントに関する調査は,n型Schottky接触障壁高さ0.45 0 0.75eVのScとTi金属のエッジ接触のそれより大きい四グラフェンMoS_2横方向ヘテロ構造で形成されることを明らかにした。二探触子システムを用いて得られた各構成の透過ギャップがあるMoS_2の固有バンドギャップよりも予想外に大きい。二表現構成における電流-電圧挙動の不一致は,接触形状がグラフェンMoS_2接合の電子輸送特性に重要な役割を果たすことを示す。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *モリブデン ,  *第一原理 ,  電気的性質 ,  計算 ,  電圧 ,  電流 ,  Fermi準位 ,  接合 ,  電荷移動 ,  バンドギャップ ,  *グラフェン ,  チタン
準シソーラス用語： 障壁高さ ,  第一原理計算 ,  *輸送特性 ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 第一原理 ,  横方向ヘテロ構造 ,  状態の射影密度 ,  バンドアラインメント ,  透過スペクトル

分類 (3件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P) ,  分析機器  (CC02020S)

タイトルに関連する用語 (7件)： エッジ ,  グラフェン ,  ヘテロ構造 ,  電子 ,  輸送特性 ,  第一原理 ,  研究