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J-GLOBAL ID：201802234592299790   整理番号：18A0706619

超接合MOSFETのための新しい深い接合端終端【JST・京大機械翻訳】

A Novel Deep Junction Edge Termination for Superjunction MOSFETs

著者 (4件)： Cheng Chia-Hui (Institute of Electronics Engineering, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan) ,  Huang Chih-Fang (Institute of Electronics Engineering, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan) ,  Lee Kung-Yen (Department of Engineering Science and Ocean Engineering, National Taiwan University, Taipei, Taiwan) ,  Zhao Feng (Department of Electrical Engineering, School of Engineering and Computer Science, Micro/Nanoelectronic and Energy Laboratory, Washington State University, Vancouver, WA, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 39  号： 4  ページ： 544-547  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,シリコン超接合(SJ)MOSFETのための深い接合終端と名付けた新しいエッジ終端を提案し,シミュレーションし,初めて実験的に実証した。SJに対してP-およびn-ピラーを形成するために典型的な注入-および-エピタクシー過程を利用することによって,大半径の曲率および横方向および垂直ドーピング段階を有する素子終端として深い接合を形成することが可能である。2-Dシミュレーションにより,700V以上のブロッキング電圧(BV)をこの新しい終端をもつ57μmドリフト層により達成でき,660Vの高い実験的BVを作製した素子により実証した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 曲率 ,  *接合 ,  ドーピング ,  ドリフト ,  ケイ素 ,  エピタクシー ,  ブロッキング ,  電圧 ,  *MOSFET ,  シミュレーション
準シソーラス用語： *超接合 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： MOSFET ,  接合端 ,  終端