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J-GLOBAL ID：201802235200549384   整理番号：18A1803941

選択埋め込み酸化物(セルボックス)電荷プラズマに基づく無接合トランジスタを用いた自己加熱効果の低減【JST・京大機械翻訳】

Reduction of self-heating effect using selective buried oxide (SELBOX) charge plasma based junctionless transistor

著者 (3件)： Kumar Amrish (Department of Electronics & Communication Engineering, Motilal Nehru National Institute of Technology, Allahabad 211004, India) ,  Gupta Abhinav (Department of Electronics Engineering, Rajkiya Engineering College, Sonbhadra 231206, India) ,  Rai Sanjeev (Department of Electronics & Communication Engineering, Motilal Nehru National Institute of Technology, Allahabad 211004, India)
資料名： AEUe  (AEUe)
巻： 95  ページ： 162-169  発行年： 2018年 
JST資料番号： A0447A  ISSN： 1434-8411  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： チャネルの高いドーピング濃度を有する無接合トランジスタ(JLT)は,ランダムドーパントゆらぎ(RDF)効果のために,しきい値電圧ロールオフを被る。RDFは,電荷プラズマに基づくJLTを用いて最小化された。電荷プラズマは,電極の仕事関数を変えて正孔/電子プラズマを作り,真性シリコン中にドーピングを誘起する仕事関数工学と同じである。シリコンウエハの仕事関数の違いにより,ソースとドレイン側にn型ドーピングが誘起される。本論文では,選択的埋込み酸化物(SELBOX-CPJLT)上の電荷プラズマに基づく接合レスMOSFETを提案した。このアプローチを用いて,SOIベースのデバイスで提示された自己加熱効果を低減した。提案した装置は,SELBOX-JLTと比較して,より良い熱効率を示した。2D-Atlasシミュレーションにより,両デバイスの静電学とアナログ性能を明らかにした。SELBOX-CPJLTは,同じチャネル長に対して,SELBOX-JLTと比較して,より良好な静電性能を示した。固有利得,相互コンダクタンス発生因子,出力コンダクタンスおよび1利得カットオフ周波数のようなアナログ性能を,1MHzでの小信号ac解析から抽出し,SELBOX-JLTと比較した。SELBOX構造の熱回路モデルの解析も行った。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *プラズマ ,  正孔 ,  ゆらぎ ,  *電荷 ,  コンダクタンス ,  アナログ系 ,  利得 ,  チャネル ,  シミュレーション ,  仕事関数 ,  *酸化物 ,  *接合 ,  ドーピング ,  遮断周波数
準シソーラス用語： 閾値電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 選択的埋込み酸化物(SELBOX) ,  SCES(短チャネル効果) ,  自己加熱効果(SHE) ,  無接合トランジスタ(JLT) ,  電荷プラズマ(CP)

分類 (3件)： 計算機シミュレーション  (JE11000H) ,  無線通信一般  (ND08010L) ,  フィルタ一般  (NC04021I)

タイトルに関連する用語 (9件)： 埋め込み ,  酸化物 ,  セル ,  ボックス ,  電荷 ,  プラズマ ,  接合トランジスタ ,  自己 ,  加熱効果