文献

J-GLOBAL ID：201802235287178827   整理番号：18A0446800

将来のCMOS技術のための低接触抵抗を用いた統合二重SPE過程【Powered by NICT】

Integrated dual SPE processes with low contact resistivity for future CMOS technologies

著者 (35件)： Wu Heng (Albany Nanotechnology Center, 257 Fuller Road, Albany NY 12203, USA) ,  Seo Soon-Cheon (Albany Nanotechnology Center, 257 Fuller Road, Albany NY 12203, USA) ,  Niu Chengyu (IBM Semiconductor Technology Research, GLOBALFOUNDRIES Inc) ,  Wang Wei (Albany Nanotechnology Center, 257 Fuller Road, Albany NY 12203, USA) ,  Tsutsui Gen (Albany Nanotechnology Center, 257 Fuller Road, Albany NY 12203, USA) ,  Gluschenkov Oleg (Albany Nanotechnology Center, 257 Fuller Road, Albany NY 12203, USA) ,  Liu Zuoguang (Albany Nanotechnology Center, 257 Fuller Road, Albany NY 12203, USA) ,  Petrescu Alexandru (Albany Nanotechnology Center, 257 Fuller Road, Albany NY 12203, USA) ,  Carr Adra (Albany Nanotechnology Center, 257 Fuller Road, Albany NY 12203, USA) ,  Choi Sam (Albany Nanotechnology Center, 257 Fuller Road, Albany NY 12203, USA) ,  Tsai Stan (IBM Semiconductor Technology Research, GLOBALFOUNDRIES Inc) ,  Park Chanro (IBM Semiconductor Technology Research, GLOBALFOUNDRIES Inc) ,  Seshadri Indira (Albany Nanotechnology Center, 257 Fuller Road, Albany NY 12203, USA) ,  Desilva Anuja (Albany Nanotechnology Center, 257 Fuller Road, Albany NY 12203, USA) ,  Arceo Abraham (Albany Nanotechnology Center, 257 Fuller Road, Albany NY 12203, USA) ,  Yang George (IBM Semiconductor Technology Research, GLOBALFOUNDRIES Inc) ,  Sankarapandian Muthumanickam (Albany Nanotechnology Center, 257 Fuller Road, Albany NY 12203, USA) ,  Prindle Chris (IBM Semiconductor Technology Research, GLOBALFOUNDRIES Inc) ,  Akarvardar Kerem (IBM Semiconductor Technology Research, GLOBALFOUNDRIES Inc) ,  Durfee Curtis (IBM Semiconductor Technology Research, GLOBALFOUNDRIES Inc) ,  Yang Jie (Albany Nanotechnology Center, 257 Fuller Road, Albany NY 12203, USA) ,  Adusumilli Praneet (Albany Nanotechnology Center, 257 Fuller Road, Albany NY 12203, USA) ,  Miao Bruce (Albany Nanotechnology Center, 257 Fuller Road, Albany NY 12203, USA) ,  Strane Jay (Albany Nanotechnology Center, 257 Fuller Road, Albany NY 12203, USA) ,  Kleemeier Walter (IBM Semiconductor Technology Research, GLOBALFOUNDRIES Inc) ,  Raymond Mark (IBM Semiconductor Technology Research, GLOBALFOUNDRIES Inc) ,  Choi Kisik (Albany Nanotechnology Center, 257 Fuller Road, Albany NY 12203, USA) ,  Lie Fee-li (Albany Nanotechnology Center, 257 Fuller Road, Albany NY 12203, USA) ,  Yamashita Tenko (Albany Nanotechnology Center, 257 Fuller Road, Albany NY 12203, USA) ,  Knorr Andreas (IBM Semiconductor Technology Research, GLOBALFOUNDRIES Inc) ,  Gupta Dinesh (Albany Nanotechnology Center, 257 Fuller Road, Albany NY 12203, USA) ,  Guo Dechao (Albany Nanotechnology Center, 257 Fuller Road, Albany NY 12203, USA) ,  Divakaruni Rama (Albany Nanotechnology Center, 257 Fuller Road, Albany NY 12203, USA) ,  Bu Huiming (Albany Nanotechnology Center, 257 Fuller Road, Albany NY 12203, USA) ,  Khare Mukesh (Albany Nanotechnology Center, 257 Fuller Road, Albany NY 12203, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IEDM  ページ： 22.3.1-22.3.4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究においては,両方のNFETとPFETにpc<2.2×10~ 9Q cm~2製造可能なCMOS二重固相エピタクシー(SPE)過程が7nmグラウンドルールを用いたハードウェアで実証した。高その場ドープしたエピの従来法と新規なSPEプロセスの両方の接触抵抗低減戦略は,デバイスおよびリング発振器(RO)レベルで研究した。CMOS流に対する新しい二重SPE過程によって達成されるRO遅延の明確な改善。より強い性能利点は将来のCMOS技術ノードに向かうより小さな接触サイズで実証した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *CMOS ,  *接触抵抗 ,  ドーピング ,  リング発振器 ,  ハードウェア
準シソーラス用語： 固相エピタキシー ,  *CMOS技術 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (5件)： CMOS技術 ,  接触抵抗 ,  統合 ,  SPE ,  過程