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J-GLOBAL ID:201802235373903790   整理番号:18A1138528

転位関連ルミネセンスを持つ電子照射シリコン発光ダイオードのルミネセンスおよび構造特性【JST・京大機械翻訳】

Luminescent and Structural Properties of Electron-Irradiated Silicon Light-Emitting Diodes with Dislocation-Related Luminescence
著者 (12件):
資料名:
巻:号: 6 P3  ページ: 14772-14777  発行年: 2018年 
JST資料番号: W3531A  ISSN: 2214-7853  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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発光ダイオード(LED)からのエレクトロルミネセンス(EL)を,1000~1650nmの範囲の波長,10A/cm2までの電流密度,および64Kの温度で研究した。p-Cz-Siウエハを低エネルギー電子(急速熱アニーリングに基づく技術の変種)で照射し,1100°Cで塩素含有雰囲気中でアニールした。p-n接合とOhm接触を得るために,リンとホウ素をドープした多結晶シリコン層を,ウエハの反対側に気相エピタクシーにより蒸着した。研究中の試料における転位構造は,60°転位と完全で欠陥のある双極子から成る。解析は,電流によるELスペクトルの変換が6つのGauss線によって正確に記述されることを示した。ピーク波長は電流に依存せず,1235,1309,1369,1414,1472,1515nmに等しい。EL線の強度の電流依存性を決定した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体のルミネセンス  ,  発光素子 

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