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J-GLOBAL ID:201802235398626052   整理番号:18A0968327

700°C以上の温度でプラズマ支援分子ビームエピタクシーにより達成したルミネセンス性n-極性(In,Ga)N/GaN量子井戸【JST・京大機械翻訳】

Luminescent N-polar (In,Ga)N/GaN quantum wells achieved by plasma-assisted molecular beam epitaxy at temperatures exceeding 700 °C
著者 (9件):
資料名:
巻: 112  号:ページ: 022102-022102-5  発行年: 2018年 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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以前に,約650°Cの通常の成長温度でプラズマ支援分子線エピタクシーにより自立GaN基板上に作製したN極性(In,Ga)N/GaN量子井戸が10Kでも検出可能なルミネセンスを示さないことを見出した。本研究では,GaおよびN極性GaN基板上に成長させた(In,Ga)N/GaN量子井戸を,一定温度730°Cで調べた。この例外的に高い温度はGa極性試料に対するInの取り込みを消失させる。対照的に,20%のIn含有量と急峻な界面を有する量子井戸がN-極性GaN上に形成された。さらに,これらの量子井戸は室温まで空間的に均一な緑色発光バンドを示すが,このバンドの強度は温度と共に強く消光することが観測された。温度依存光ルミネセンス過渡現象は,この熱消光が電子と正孔に対する大きな捕獲係数をもつ非放射Shockley-Read-Hall中心の高密度に関連することを示した。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
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JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体のルミネセンス  ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合 

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