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J-GLOBAL ID：201802235414390444   整理番号：18A2042327

大容量CMOS鋳造により作製した1200V SiCプレーナゲートMOSFETの信頼性と耐久性【JST・京大機械翻訳】

Reliability and Ruggedness of 1200V SiC Planar Gate MOSFETs Fabricated in a High Volume CMOS Foundry

著者 (5件)： Chowdhury Sauvik (Monolith Semiconductor, Inc.; Round Rock, USA, 78664) ,  Gant Levi (Monolith Semiconductor, Inc.; Round Rock, USA, 78664) ,  Powell Blake (Monolith Semiconductor, Inc.; Round Rock, USA, 78664) ,  Rangaswamy Kasturirangan (Monolith Semiconductor, Inc.; Round Rock, USA, 78664) ,  Matocha Kevin (Monolith Semiconductor, Inc.; Round Rock, USA, 78664)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 924  ページ： 697-702  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,1200V,80mΩ定格のSiC平面ゲートMOSFETの性能,信頼性および耐久性の特性化を示し,高体積,150mmシリコンCMOS鋳造において作製した。素子は室温で5.1mΩcm2の比オン抵抗を示し,175°Cで7.5mΩcm2に増加した。全スイッチング損失は300μJ(V_DD=800V,I_D=20A)以下であった。この素子は,175°Cで最大5500時間(V_GS=25V)と2500時間(V_GS=-10V)での拡張HTGB応力試験に対して,0.2V下でV_THシフトによる優れたゲート酸化物信頼性を示した。非クランプ誘導負荷スイッチングと短絡能力のような耐久性性能についても議論した。Copyright 2018 Trans Tech Publications Ltd. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： キャラクタリゼーション ,  定格 ,  スイッチング ,  *MOSFET ,  スイッチング損失 ,  オン抵抗 ,  *炭化ケイ素 ,  クランプ ,  *耐久性 ,  *鋳造 ,  *信頼性 ,  *CMOS
準シソーラス用語： パワーMOSFET ,  ゲート酸化膜 ,  *大容量 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 雪崩 ,  信頼性 ,  短絡回路 ,  SiCパワーMOSFET

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： 大容量 ,  CMOS ,  鋳造 ,  作製 ,  SiC ,  プレーナ ,  ゲート ,  MOSFET