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J-GLOBAL ID：201802235746028959   整理番号：18A0728897

10-9ω ・cm2接触抵抗率を特徴とするチタン(ゲルマノ)ケイ化物と先進CMOS技術への適合性の改善【JST・京大機械翻訳】

Titanium (germano-)silicides featuring 10^-9 Ω・cm² contact resistivity and improved compatibility to advanced CMOS technology

著者 (10件)： Yu Hao (Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Schaekers Marc (Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Chew Soon Aik (Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Everaert Jean-Luc (Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Dabral Ashish (Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Pourtois Geoffrey (Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Horiguchi Naoto (Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Mocuta Dan (Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Collaert Nadine (Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  De Meyer Kristin (Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： IWJT  ページ： 1-5  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,予備接触非晶質化注入(PCAI),TiSi同時蒸着,およびTi原子層堆積(ALD)をそれぞれ特徴とする3つの新しいTi(ゲルマノ-)ケイ化技術を検討した。すべての3つの技術は,高度にドープしたn-Siとp-SiGe基板上で(1~3)×10~9Ωcm2の超低接触抵抗(ρc)をもつTiSix(Gey)接触を形成する。これらの技術は,5~14nm CMOS技術のpc要件と特徴統一CMOS接触溶液を満たす。さらに,これらの技術の現実的なCMOSトランジスタ作製への適合性を論じた。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *接触抵抗 ,  同時蒸着 ,  *適応性 ,  *CMOS ,  *チタン ,  *ケイ化物 ,  アモルファス化 ,  *珪化作用 ,  ドーピング
準シソーラス用語： シリコンゲルマニウム ,  ALCVD ,  *CMOS技術 ,  *比接触抵抗 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  R,L,C,Q,インピーダンス,誘電率の計測法・機器  (AD07030N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 接触抵抗率 ,  チタン ,  ゲルマ ,  ケイ化物 ,  CMOS技術 ,  適合性