文献
J-GLOBAL ID:201802235803210179   整理番号:18A0073632

AlGaN/AlN/GaN/AlGaNベースデバイスにおける自己加熱効果と偏光効果【Powered by NICT】

Self-heating and polarization effects in AlGaN/AlN/GaN/AlGaN based devices
著者 (7件):
資料名:
巻: 2017  号: EuMIC  ページ: 37-40  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
電流に影響を及ぼす自己加熱と偏光の相互作用は,縮尺ソース-ドレイン距離Al_0 0.32Ga_0 0.68AlN/GaN/Al_0 1Ga_0 9N伝送線路モデル(TLM)ヘテロ構造で研究した。研究は電気-熱モデルを用いてI-V実験特性に対する慎重に較正されたTCADシミュレーションに基づいている。電気-熱シミュレーションは,デバイスの信頼性に影響する大きな電場によるドレイン接触端部におけるホットスポットを示した。印加応力のために,全分極,18pMヘテロ構造に比べて,電気的ストレスにより誘起された付加的歪の結果としてソース-ドレイン距離の減少中の7%,10%および17%減少し12pm,pm8および4pmであった。ソース/ドレイン接触に関するこの付加応力は逆圧電効果の結果として表面での分極を減少させた。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (5件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
トランジスタ  ,  半導体集積回路  ,  CAD,CAM  ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  ,  熱工学一般 
タイトルに関連する用語 (6件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る