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J-GLOBAL ID：201802235890763598   整理番号：18A1588206

層状半導体Bi_2O_2Seにおける超高Hall移動度と抑制された後方散乱【JST・京大機械翻訳】

Ultrahigh Hall mobility and suppressed backward scattering in layered semiconductor Bi₂O₂Se

著者 (11件)： Tong Tong (National Laboratory of Solid State Microstructures, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, People’s Republic of China) ,  Zhang Minhao (National Laboratory of Solid State Microstructures, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, People’s Republic of China) ,  Chen Yequan (National Laboratory of Solid State Microstructures, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, People’s Republic of China) ,  Li Yan (National Laboratory of Solid State Microstructures, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, People’s Republic of China) ,  Chen Liming (National Laboratory of Solid State Microstructures, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, People’s Republic of China) ,  Zhang Junran (National Laboratory of Solid State Microstructures, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, People’s Republic of China) ,  Song Fengqi (National Laboratory of Solid State Microstructures, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, School of Physics, Nanjing University, Nanjing 210093, People’s Republic of China) ,  Wang Xuefeng (National Laboratory of Solid State Microstructures, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, People’s Republic of China) ,  Zou Wenqin (National Laboratory of Solid State Microstructures, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, School of Physics, Nanjing University, Nanjing 210093, People’s Republic of China) ,  Xu Yongbing (National Laboratory of Solid State Microstructures, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, People’s Republic of China) ,  Zhang Rong (National Laboratory of Solid State Microstructures, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, People’s Republic of China)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 113  号： 7  ページ： 072106-072106-4  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは,40000cm2/Vsを超える超高Hall移動度と,自明な層状半導体Bi_2O_2Seにおける非常に長い従来の散乱時間について報告する。Shubnikov-de Haas(SdH)振動は,不飽和縦線形磁気抵抗R_xxと横Hall抵抗R_xyの両方で観察された。SdH振動の振幅ΔR_xyはΔR_xxに関して約180°位相シフトし,電子後方散乱の強い抑制を示した。これは,量子寿命よりも10倍長い輸送寿命の証拠によってさらに証明された。著者らの結果は,自明でないDirac半金属における抑制された後方散乱が,自明な半導体Bi_2O_2Seにおいても起こり得ることを示している。Copyright 2018 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *後方散乱 ,  *Hall移動度 ,  位相シフト ,  磁気抵抗 ,  *半導体
準シソーラス用語： Dirac半金属 ,  電子後方散乱 ,  Hall抵抗 ,  散乱時間 ,  剪断波速度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： 層状 ,  Hall移動度 ,  後方散乱