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J-GLOBAL ID：201802235995074429   整理番号：18A1720951

高性能ナノ結晶テルル化ビスマス薄膜を作製するための高周波マグネトロンスパッタリングにおけるH_2-Arガス混合物の使用【JST・京大機械翻訳】

Use of H₂-Ar gas mixtures in radio-frequency magnetron sputtering to produce high-performance nanocrystalline bismuth telluride thin films

著者 (3件)： Takashiri Masayuki (Department of Materials Science, Tokai University, 4-1-1 Kitakaname, Hiratsuka, Kanagawa 259-1292, Japan) ,  Takano Kousuke (Department of Materials Science, Tokai University, 4-1-1 Kitakaname, Hiratsuka, Kanagawa 259-1292, Japan) ,  Hamada Jun (Department of Materials Science, Tokai University, 4-1-1 Kitakaname, Hiratsuka, Kanagawa 259-1292, Japan)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 664  ページ： 100-105  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 良好な熱電性能を有するナノ結晶テルル化ビスマス(Bi_2Te_3)薄膜を,高周波マグネトロンスパッタリングにより水素とアルゴンガスの混合物を用いて調製した。Bi_2Te_3薄膜の表面形態,結晶構造,元素組成,および熱電特性に及ぼす水素添加の影響を研究した。混合比H_2/(H_2+Ar)を0から15%まで変化させた。200°Cで加熱したガラス基板上に薄膜を堆積した。薄膜の表面形態は混合比により大きく影響されることが観察された。蒸着速度と組成比は混合比の増加と共に減少し,水素とテルルの間の化学反応により膜表面から蒸発したテルル原子が示された。膜内部の酸素濃度は混合比が増加すると減少し,出力因子が増加した。この薄膜が比較的高い電気伝導率と高いSeebeck係数を示すので,10%の混合比で9.0μW/(cm K2)の最大力率が観察された。しかしながら,15%のより高い混合比では,薄膜の力率は,おそらく,金属特性を示す六方晶BiTe相の出現により,劇的に減少した。したがって,スパッタリング中の中程度の量の水素(10%)の添加はBi_2Te_3薄膜の熱電性能を改善できると結論した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *テルル ,  *アルゴン ,  電気伝導率 ,  水素 ,  *薄膜 ,  混合比 ,  *スパッタリング ,  結晶構造 ,  六方晶系 ,  *ナノ結晶
準シソーラス用語： Seebeck係数 ,  ガラス基板 ,  表面形態 ,  *RFマグネトロンスパッタリング ,  *テルル化ビスマス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 水素:アルゴンガス混合物 ,  高周波マグネトロンスパッタリング ,  テルル化ビスマス ,  熱電特性 ,  ナノ結晶性

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (8件)： 高性能 ,  ナノ結晶 ,  テルル化ビスマス ,  薄膜 ,  作製 ,  高周波マグネトロンスパッタリング ,  Arガス ,  混合物