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J-GLOBAL ID：201802236362075348   整理番号：18A0929709

MgO表面電荷移動ドーピングによる両極性数層MoTe_2トランジスタのキャリア変調【JST・京大機械翻訳】

Carrier Modulation of Ambipolar Few-Layer MoTe₂ Transistors by MgO Surface Charge Transfer Doping

著者 (10件)： Luo Wei (College of Science, National University of Defense Technology, Changsha, 410073, P. R. China) ,  Zhu Mengjian (College of Aerospace Science and Engineering, National University of Defense Technology, Changsha, 410073, P. R. China) ,  Peng Gang (College of Science, National University of Defense Technology, Changsha, 410073, P. R. China) ,  Zheng Xiaoming (College of Science, National University of Defense Technology, Changsha, 410073, P. R. China) ,  Miao Feng (National Laboratory of Solid State Microstructures, School of Physics, Nanjing University, Nanjing, 210093, P. R. China) ,  Bai Shuxin (College of Aerospace Science and Engineering, National University of Defense Technology, Changsha, 410073, P. R. China) ,  Zhang Xue-Ao (College of Science, National University of Defense Technology, Changsha, 410073, P. R. China) ,  Zhang Xue-Ao (State Key Laboratory of High Performance Computing, National University of Defense Technology, Changsha, 410073, P. R. China) ,  Qin Shiqiao (College of Science, National University of Defense Technology, Changsha, 410073, P. R. China) ,  Qin Shiqiao (State Key Laboratory of High Performance Computing, National University of Defense Technology, Changsha, 410073, P. R. China)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 28  号： 15  ページ： e1704539  発行年： 2018年 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 適切なバンドギャップと十分キャリア移動度を有する高速出現2D材料である半導体二テルル化モリブデン(2H-MoTe_2)を電界効果トランジスタとして構成し,正孔支配両極性特性を示す実質的な研究関心の焦点である。ここでは,酸化マグネシウム(MgO)表面電荷移動ドーピングを利用して,両極性少数層MoTe_2トランジスタのキャリア変調を実証した。MgO膜の厚さとMoTe_2層の数を注意深く調整することにより,p型からn型へのMoTe_2トランジスタのキャリア極性を逆に制御できた。MoTe_2の電子移動度は,37nmのMgO膜ドーピング後に,0.1から20cm2V-1s-1に著しく増大し,電子輸送が大きく改善されたことを示した。有効なキャリア変調は,数層MoTe_2フレークに基づく>25と光検出器の高いDC利得を有する高性能相補型インバータを達成することを可能にした。この結果は,2D遷移金属ジカルコゲナイド半導体に基づく電子および光電子デバイスの実現に向けての重要な進歩を示した。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *酸化マグネシウム ,  半導体 ,  光検出器 ,  *表面電荷 ,  *トランジスタ ,  FET【トランジスタ】 ,  *ドーピング ,  キャリア移動度 ,  *電荷移動 ,  *極性 ,  二次元 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 電子輸送 ,  電子移動度 ,  *両極性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： キャリア変調 ,  MgO ,  MoTe2トランジスタ ,  表面電荷移動ドーピング

分類 (1件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (7件)： MgO ,  表面電荷 ,  ドーピング ,  両極性 ,  トランジスタ ,  キャリア ,  変調