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J-GLOBAL ID：201802236413121379   整理番号：18A1509885

スピンコーティング法による溶液処理In-Si-O薄膜トランジスタの研究【JST・京大機械翻訳】

Investigation on solution-processed In-Si-O thin-film transistor via spin-coating method

著者 (8件)： Hoang Ha (Kwansei Gakuin University, Graduate School of Science and Technology, Sanda, Hyogo, 669-1337, Japan) ,  Hori Tatsuki (Kwansei Gakuin University, Graduate School of Science and Technology, Sanda, Hyogo, 669-1337, Japan) ,  Yasuda To-Oru (Kwansei Gakuin University, Graduate School of Science and Technology, Sanda, Hyogo, 669-1337, Japan) ,  Kizu Takio (National Institute for Materials Science (NISM), International Center for Materials Nanoarchitectonics (WPI-MANA), Tsukuba, Ibaraki, 305-0044, Japan) ,  Tsukagoshi Kazuhito (National Institute for Materials Science (NISM), International Center for Materials Nanoarchitectonics (WPI-MANA), Tsukuba, Ibaraki, 305-0044, Japan) ,  Nabatame Toshihide (National Institute for Materials Science (NISM), MANA Foundry and MANAAdvanced Device Materials Group, Tsukuba, Ibaraki, 305-0044, Japan) ,  Trinh Bui Nguyen Quoc (Vietnam National University-Hanoi, University of Engineering and Technology, Cau Giay, Hanoi, Vietnam) ,  Fujiwara Akihiko (Kwansei Gakuin University, Graduate School of Science and Technology, Sanda, Hyogo, 669-1337, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： AM-FPD  ページ： 1-4  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,3at.%Siドープ酸化インジウム薄膜トランジスタ(TFT)のための溶液処理法による最適作製条件を調べた。In-Si-O(ISO)薄膜をX線反射率(XRR)とX線回折(XRD)法により調べ,TFTの動作を従来の3プローブ法により特性化した。XRR結果は,アニーリング温度が増加すると,膜厚が減少することを示唆した。さらに,XRD測定によると,膜厚にかかわらず,ISO膜は850°Cから結晶を始めた。最良のISO TFTは,5VのV_Tの値,1.32cm2/Vsのμ,1V/decのSS,および約10~7のオン/オフ電流比を示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ドーピング ,  プローブ ,  X線回折 ,  *薄膜トランジスタ ,  酸化インジウム ,  電流 ,  膜厚 ,  *薄膜 ,  *スピンコーティング ,  キャラクタリゼーション
準シソーラス用語： 剪断波速度 ,  アニーリング温度 ,  X線反射率 ,  *溶液処理 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (5件)： スピンコーティング法 ,  溶液処理 ,  Si ,  薄膜トランジスタ ,  研究