Hoang Ha について
Kwansei Gakuin University, Graduate School of Science and Technology, Sanda, Hyogo, 669-1337, Japan について
Hori Tatsuki について
Kwansei Gakuin University, Graduate School of Science and Technology, Sanda, Hyogo, 669-1337, Japan について
Yasuda To-Oru について
Kwansei Gakuin University, Graduate School of Science and Technology, Sanda, Hyogo, 669-1337, Japan について
Kizu Takio について
National Institute for Materials Science (NISM), International Center for Materials Nanoarchitectonics (WPI-MANA), Tsukuba, Ibaraki, 305-0044, Japan について
Tsukagoshi Kazuhito について
National Institute for Materials Science (NISM), International Center for Materials Nanoarchitectonics (WPI-MANA), Tsukuba, Ibaraki, 305-0044, Japan について
Nabatame Toshihide について
National Institute for Materials Science (NISM), MANA Foundry and MANAAdvanced Device Materials Group, Tsukuba, Ibaraki, 305-0044, Japan について
Trinh Bui Nguyen Quoc について
Vietnam National University-Hanoi, University of Engineering and Technology, Cau Giay, Hanoi, Vietnam について
Fujiwara Akihiko について
Kwansei Gakuin University, Graduate School of Science and Technology, Sanda, Hyogo, 669-1337, Japan について
IEEE Conference Proceedings について
ドーピング について
プローブ について
X線回折 について
薄膜トランジスタ について
酸化インジウム について
電流 について
膜厚 について
薄膜 について
スピンコーティング について
キャラクタリゼーション について
剪断波速度 について
アニーリング温度 について
X線反射率 について
溶液処理 について
図形・画像処理一般 について
スピンコーティング法 について
溶液処理 について
Si について
薄膜トランジスタ について
研究 について