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J-GLOBAL ID：201802236428075919   整理番号：18A0190662

グラフェンZnO:N Schottky接合をベースにした薄膜トランジスタ【Powered by NICT】

Graphene-ZnO:N Schottky junction based thin film transistor

著者 (8件)： Heo S. (Center for Emerging Electronic Devices and Systems, School of Materials Science and Engineering, Gwangju Institute of Science and Technology, Republic of Korea) ,  Kim Y.J. (Center for Emerging Electronic Devices and Systems, School of Materials Science and Engineering, Gwangju Institute of Science and Technology, Republic of Korea) ,  Kim C.H. (Center for Emerging Electronic Devices and Systems, School of Materials Science and Engineering, Gwangju Institute of Science and Technology, Republic of Korea) ,  Lee S.K. (Center for Emerging Electronic Devices and Systems, School of Materials Science and Engineering, Gwangju Institute of Science and Technology, Republic of Korea) ,  Lee H.J. (Center for Emerging Electronic Devices and Systems, School of Materials Science and Engineering, Gwangju Institute of Science and Technology, Republic of Korea) ,  Hwang H.J. (Center for Emerging Electronic Devices and Systems, School of Materials Science and Engineering, Gwangju Institute of Science and Technology, Republic of Korea) ,  Noh J. (Center for Emerging Electronic Devices and Systems, School of Materials Science and Engineering, Gwangju Institute of Science and Technology, Republic of Korea) ,  Lee B.H. (Center for Emerging Electronic Devices and Systems, School of Materials Science and Engineering, Gwangju Institute of Science and Technology, Republic of Korea)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： SNW  ページ： 131-132  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェン-ZnO Schottky接合に基づく新しい薄膜トランジスタはディスプレイ駆動回路応用のための実証された。10~4以上の高いオン-オフ比を用いた可視光波長における80%以上の高透過率はこのデバイスのメリットがある。200°C以下の温度で完了したすべてのデバイス作製プロセスは柔らかい表示装置応用にユニークな利点を提供するであろう。実験素子パラメータを用いたPSPICEによって推定された予測性能はこのデバイスが電圧プログラミング画素駆動回路に適していることを確認した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 計算機プログラミング ,  電圧 ,  *薄膜トランジスタ ,  表示装置 ,  波長 ,  *酸化亜鉛 ,  *接合 ,  可視光 ,  *グラフェン

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： グラフェン ,  ZnO ,  Schottky接合 ,  薄膜トランジスタ