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J-GLOBAL ID：201802236682800949   整理番号：18A1200851

NiOナノ粒子における強い深準位発光光ルミネセンス【JST・京大機械翻訳】

Strong Deep-Level-Emission Photoluminescence in NiO Nanoparticles

著者 (3件)： Gandhi Ashish Chhaganlal (Department of Physics, National Dong Hwa University, Hualien 97401, Taiwan) ,  Gandhi Ashish Chhaganlal (Center for Condensed Matter Sciences, National Taiwan University, Taipei 10617, Taiwan) ,  Wu Sheng Yun (Department of Physics, National Dong Hwa University, Hualien 97401, Taiwan)
資料名： Nanomaterials (Web)  (Nanomaterials (Web))
巻： 7  号： 8  ページ： 231  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7252A  ISSN： 2079-4991  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化ニッケルは非常に有望な半導体材料の一つであるが,その大きなバンドギャップ(3.7~4eV)は実際の応用においてその使用を制限する。ここでは,種々のサイズの酸化ニッケル(NiO)ナノ粒子における近バンド端(NBE)と深準位発光(DLE)に及ぼすニッケル/酸素空格子点と格子間欠陥の影響を報告する。紫外(UV)発光はNiOの近バンド端(NBE)遷移に対応する励起子再結合に起因するが,可視領域における深い準位発光(DLE)は酸素空孔や格子間欠陥のような種々の構造欠陥に起因する。NiOナノ粒子は全ての試料において約2.37eV付近に強い緑色バンド発光を示し,PLスペクトルの80%積分強度をカバーすることを見出した。この明らかに異常な現象は,伝導帯直下に位置する浅い準位にトラップされた電子と再結合する深い準位酸素空格子点に捕獲された光生成正孔に起因する。Copyright 2018 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 正孔 ,  浅い準位 ,  *発光 ,  *光ルミネセンス ,  再結合 ,  *ナノ粒子 ,  励起子 ,  半導体材料 ,  *深い準位 ,  バンドギャップ ,  酸化ニッケル ,  伝導バンド ,  ニッケル
準シソーラス用語： 可視領域 ,  酸素空格子点 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： NiOナノ粒子 ,  ニッケル/酸素空孔 ,  格子間酸素 ,  光ルミネセンス ,  電子密度

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

引用文献 (39件)：

• Klimm, D. Electronic materials with a wide band gap: Recent developments. IUCrJ 2014, 1, 281-290.
• Gaikwad, S.S.; Gandhi, A.C.; Pandit, S.D.; Pant, J.; Chan, T.-S.; Cheng, C.-L.; Ma, Y.-R.; Wu, S.Y. Oxygen induced strained ZnO nanoparticles: An investigation of Raman scattering and visible photoluminescence. J. Mat. Chem. C 2014, 2, 7264-7274.
• Choi, W.S.; Chisholm, M.F.; Singh, D.J.; Choi, T.; Jellison, G.E.; Lee, H.N. Wide bandgap tunability in complex transition metal oxides by site-specific substitution. Nat. Commun. 2012, 3, 689.
• Molaei, R.; Bayati, R.; Narayan, J. Crystallographic characteristics and p-type to n-type transition in epitaxial NiO thin film. Cryst. Growth Des. 2013, 13, 5459-5465.
• Khan, M.M.; Ansari, S.A.; Pradhan, D.; Ansari, M.O.; Han, D.H.; Lee, J.; Cho, M.H. Band gap engineered TiO2 nanoparticles for visible light induced photoelectrochemical and photocatalytic studies. J. Mater. Chem. A 2014, 2, 637-644.

タイトルに関連する用語 (3件)： ナノ粒子 ,  深準位 ,  光ルミネセンス