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J-GLOBAL ID：201802236705927492   整理番号：18A1028651

二光子顕微鏡により調べた半導体における少数キャリア動力学【JST・京大機械翻訳】

Minority-carrier dynamics in semiconductors probed by two-photon microscopy

著者 (2件)： Gaury Benoit (Center for Nanoscale Science and Technology, National Institute of Standards and Technology, Gaithersburg, MD 20899, USA) ,  Haney Paul M. (Center for Nanoscale Science and Technology, National Institute of Standards and Technology, Gaithersburg, MD, 20899, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： PVSC  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近,二光子時間分解光ルミネセンスが,キャリア寿命と表面再結合速度を決定するために種々の半導体デバイスに適用されている。これまで,理論的モデリング活性は,技術の一般的に使用される一光子対応物に主に制限されてきた。ここでは,低注入領域における二光子顕微鏡を記述する三次元拡散方程式に対する解析解を提供した。再結合が増強された単一埋込み界面を持つ系に焦点を当て,輸送,バルク及び表面再結合が光ルミネセンス減衰にどのように影響するかを解析した。バルク測定は短時間での拡散と長時間でのバルク再結合により支配されることを見出した。表面再結合は,光スポットがプローブ界面から離れた拡散距離より小さいとき,バルク信号を修正する。さらに,スポットサイズが減少すると分解能は増加するが,拡散により敏感になる。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  解析的解法 ,  キャリア寿命 ,  三次元 ,  *光子 ,  分解能 ,  プローブ ,  拡散距離 ,  再結合 ,  *半導体 ,  半導体素子 ,  モデリング ,  光ルミネセンス ,  拡散方程式
準シソーラス用語： 表面再結合 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (2件)： 二光子顕微鏡 ,  キャリア動力学