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J-GLOBAL ID：201802236817277447   整理番号：18A0159566

GaAs金属-ゲート誘電体と不動態化層としてのNdに基づく高k酸窒化物と酸化物-半導体キャパシタ【Powered by NICT】

GaAs Metal-Oxide-Semiconductor Capacitor With Nd-Based High-k Oxynitrides as Gate Dielectric and Passivation Layer

著者 (5件)： Liu L. N. (Department of Electrical and Electronic Engineering, The University of Hong Kong, Hong Kong) ,  Choi H. W. (Department of Electrical and Electronic Engineering, The University of Hong Kong, Hong Kong) ,  Xu J. P. (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, China) ,  Tang W. M. (Department of Applied Physics, The Hong Kong Polytechnic University, Hong Kong) ,  Lai P. T. (Department of Electrical and Electronic Engineering, The University of Hong Kong, Hong Kong)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 65  号： 1  ページ： 72-78  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゲート誘電体とNdAlON,NdONまたはAlONとして界面不動態化層(IPL)としてNdTaONを持つGaAs金属-酸化物-半導体キャパシタを作製し,それらの界面と電気的性質はIPL無しのそれらの対応物と比較した。実験結果は,Alの挿入によるNdONの抑制された吸湿性のため,電気的性質と信頼性における最良の改善はNdAlON IPL(低界面状態密度(8×10~11 cm~ 2/eV),小さなフラットバンド電圧(0.72 V),無視できるヒステリシス(43 mV),小周波数分散,及び低ゲート漏れ電流密度(V_fb+1Vで2.56×10~ 6cm~2)の試料で達成できることを示した。これらはGaAs表面上の不安定なGaとAsの酸化物の成長抑制に起因するとゲート誘電体アニーリング中のNdAlON IPLによるGaAs表面にゲート誘電体からの元素の拡散を減少させた。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *コンデンサ ,  *酸化物 ,  焼なまし ,  *ネオジム ,  *ヒ化ガリウム ,  電気的性質 ,  界面 ,  *半導体 ,  アルミニウム ,  *ゲート絶縁膜 ,  *不動態化 ,  信頼性 ,  *ガリウム ,  *ヒ素
準シソーラス用語： フラットバンド電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  LCR部品  (NA05030D)

タイトルに関連する用語 (7件)： GaAs ,  ゲート誘電体 ,  不動態化 ,  Nd ,  酸窒化物 ,  酸化物 ,  キャパシタ