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J-GLOBAL ID：201802236824627297   整理番号：18A1913786

Si(111)√3×√3-B基板上のAg(111)超薄膜のSTM像に現われる埋もれた界面構造

Interface Induced STM Image at Ultrathin Ag(111) Films on Si(111)√3×√3-B Substrates

著者 (6件)： 福元博之 (東京工業大学大学院総合理工学研究科) ,  吉池雄作 (東京工業大学大学院総合理工学研究科) ,  田尻寛男 (高輝度光科学研究センター利用研究促進部門) ,  山崎詩郎 (東京工業大学理学院) ,  中辻寛 (東京工業大学物質理工学院) ,  平山博之 (東京工業大学理学院)
資料名： 表面と真空  (Vacuum and Surface Science)
巻： 61  号： 10  ページ： 657-662(J-STAGE)  発行年： 2018年 
JST資料番号： G0194B  ISSN： 2433-5835  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 埋め込まれた界面構造は,Si(111)√<span style=text-decoration:overline>3</span>×√<span style=text-decoration:overline>3</span>-B基板上の超薄Ag膜の表面における走査トンネル顕微鏡(STM)において,3×3周期的リップルを引き起こすことが分かった。リップルは,バイアス電圧依存性を示さないので,純粋に幾何学的であった。X線回折は,Ag/Si格子整合がAg膜の底層に3×3周期変位を導入することを明らかにした。また,変位はAg膜の上層に移動し,一方,減衰することが分かった。STMにおいてAg膜の上部に3×3のかすかなリップルが現れた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *表面構造 ,  *結晶方位 ,  *銀 ,  *超薄膜 ,  *走査型トンネル顕微鏡 ,  *ナノ構造 ,  電圧 ,  歪 ,  格子整合 ,  周期構造 ,  周期変化 ,  構造物 ,  X線回折
準シソーラス用語： *界面構造 ,  *Si(111) ,  *ナノリップル ,  バイアス電圧 ,  幾何学的歪 ,  埋込み構造物

著者キーワード (8件)： 走査型トンネル顕微鏡 ,  埋め込み界面 ,  X線回折 ,  超薄膜 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  埋め込み界面 ,  X線回折 ,  超薄膜

分類 (1件)： 半導体の表面構造  (BK15030A)

引用文献 (29件)：

• 1) D.R. Heslinga, H.H. Weitering, D.P. vand der Werf, T.M. Klapwijk and T. Hibma : Phys. Rev. Lett. 64, 1589 (1990).
• 2) R.F. Schmitsdorf, T.U. Kampen and W. Mönch : Surf. Sci. 324, 249 (1995).
• 3) W. Long, Y. Li and R. Tung : Surf. Sci. 610, 48 (2013).
• 4) W. Mönch : J. Vac. Sci. Technol., B 17, 1867 (1999).
• 5) H. Hirayama, T. Yamaguchi, H. Ikezawa and K. Tanaka : Phys. Rev. B 66, 073301 (2002).

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  Ag ,  薄膜 ,  STM ,  界面構造