シリコンの磁気レオロジー仕上中に発生したナノメータ表面粗さの実験的およびシミュレーション研究【JST・京大機械翻訳】

Khatri Neha; Khatri Neha; Xavier Manoj J.; Mishra Vinod; Mishra Vinod; Garg Harry; Garg Harry; Karar Vinod; Karar Vinod

文献

J-GLOBAL ID：201802236888482430 整理番号：18A0940463

シリコンの磁気レオロジー仕上中に発生したナノメータ表面粗さの実験的およびシミュレーション研究【JST・京大機械翻訳】

Experimental and simulation study of nanometric surface roughness generated during Magnetorheological finishing of Silicon

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巻： 5 号： 2 P1 ページ： 6391-6400 発行年： 2018年
JST資料番号： W3531A ISSN： 2214-7853 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

シリコンミラーは,X線ビームを誘導し,それを特定の位置に集束するための不可欠な要素である。全内部反射を用いたこれらのミラーは,X線波長が非常に小さいので,超平滑表面仕上げを必要とする。磁気レオロジー仕上げプロセスによるシリコンミラーの研磨可能性を検討した。磁気レオロジー仕上げ(MRF)は,高品質光学レンズの製造に使用される計算機制御技術である。この新しい仕上げプロセスは,磁性流体に基づく研磨スラリーを利用し,その粘度は磁場の変化とともに変化する。本研究では,X線応用に使用されるナノメータ表面仕上げを達成するために,MRFを用いてシリコンミラーを研磨した。表面粗さに及ぼす磁化電流,作動ギャップ,回転速度のようなパラメータの個々の影響を調べた。実験に基づいて,最適化プロセスパラメータを同定した。達成された最終表面粗さは6.4nmと低い。表面品質を,一様な評価のために,計算粗さ(Ra)と走査電子顕微鏡の観点から解析した。MRFプロセスの基礎となる物理的本質を調べるために,分子動力学シミュレーション(MDS)を用いた。MDSを用いて,磁気レオロジー仕上(MRF)プロセスにおける単結晶シリコンの原子スケール除去機構を研究し,工具と工作物の間のギャップの影響,ならびに表面品質に及ぼす切削速度を研究するために特別な注意を払った。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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