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J-GLOBAL ID：201802236889454941   整理番号：18A0704167

室温ALD法によるゼオライト薄膜の試作と評価

著者 (7件)： 森義晴 (山形大 工) ,  野口雄祐 (山形大 大学院理工学研究科) ,  鹿又健作 (山形大 大学院理工学研究科) ,  三浦正範 (山形大 大学院理工学研究科) ,  有馬ボシールアハンマド (山形大 大学院理工学研究科) ,  久保田繁 (山形大 大学院理工学研究科) ,  廣瀬文彦 (山形大 大学院理工学研究科)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 117  号： 461(CPM2017 115-135)  ページ： 15-18  発行年： 2018年02月22日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 近年ゼオライトは薄膜化による新分野への応用研究が進められている。一般にゼオライト薄膜の製膜には水熱合成法が用いられているが,我々はTris[dimethylamino]silane(TDMAS),Trimethylaluminium(TMA)の二つの原料とプラズマ励起加湿Arを用いて室温での原子層堆積法による製膜を確立した。本方法により,室温形成やナノメートルオーダーでの膜厚制御が可能となり,ゼオライト薄膜をより幅広い分野へ応用可能とした。室温原子層堆積法によるゼオライト薄膜の1サイクルあたりの成長膜厚は0.20nm/cycleと測定された。更に,本方法によりゼオライトを製膜した基板を用いて,ゼオライトが持つ陽イオン吸着及びイオン交換特性の実証を行った。(著者抄録)

シソーラス用語： *室温 ,  *化学蒸着 ,  薄膜成長 ,  *ゼオライト ,  *アルミナ ,  *二酸化ケイ素 ,  膜厚 ,  厚み制御 ,  カチオン ,  吸着 ,  イオン交換 ,  加湿 ,  アルゴン
準シソーラス用語： *ALD【蒸着】 ,  ゼオライト膜 ,  シリカ ,  イオン吸着 ,  TDMAS

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

物質索引 (2件)： トリメチルアルミニウム ,  トリス(ジメチルアミノ)シラン

引用文献 (6件)：

• 冨永博夫,ゼオライトの科学と応用,講談社,東京,pp.1-13,1991年
• Christopher M. Lew, Rui Cai, And Yushan Yan, “Zeolite Thin Films: From Computer Chips to Space Stations”, ACCOUNTS OF CHEMICAL RESEARCH, Vol. 43, No. 2, pp.210-219, February 2010
• M.Vilaseca, J.Coronas, A.Cirera, A.Cornet, J.R.Morante, J.Santamar'?a, “Use of zeolite films to improve the selectivity of reactive gas sensors”, Catalysis Today, 82, pp.179-185, 2003
• Hsin-Yan Lu, Chin-Lin Teng, Chun-Wei Yu, Yu-Chiao Liu, and Ben-Zu Wan, “Addition of Surfactant Tween 80 in Coating Solutions for Making Mesoporous Pure Silica Zeolite MFI Low-k Films”, Ind. Eng. Chem. Res, 49, pp.6279-6286, 2010
• Mitsuo Sato, “Outstanding Characteristics of Zeolitic Silicates and Their Uses”, ISIJ, 7, pp.800-806, 1985

タイトルに関連する用語 (6件)： 室温 ,  ALD ,  ゼオライト ,  薄膜 ,  試作 ,  評価