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J-GLOBAL ID:201802237366647436   整理番号:18A0718378

PCDTBTベース有機電界効果トランジスタのゲートバイアス制御NO_2応答のモデリング【JST・京大機械翻訳】

Modeling of gate bias controlled NO2 response of the PCDTBT based organic field effect transistor
著者 (10件):
資料名:
巻: 698  ページ: 7-10  発行年: 2018年 
JST資料番号: B0824A  ISSN: 0009-2614  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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活性層としてポリ[N-9′-ヘプタデカンイル-2, 7-カルバゾール-alt-5,5-(4′,7′-ジ-2-チエニル-2′,1′,3′-ベンゾチアジアゾール)(PCDTBT)から成る有機電界効果トランジスタをガスの検出のために作製した。このデバイスはNO_2ガスの100万レベルに対して高い選択的応答を示した。これらの素子に対して,NO_2に対する応答は,自由電荷の既存の高密度のために,ゲートバイアスの増加とともに減少した。デバイス(空気中)の移動特性を用いて,ゲートバイアスによる応答のこの変化を説明するモデルを開発した。このモデルは,NO_2ガスとの相互作用に関するPCDTBT層中に放出された孔の密度を決定することを可能にする。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
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トランジスタ  ,  物理化学一般その他  ,  原子・分子のクラスタ 
タイトルに関連する用語 (4件):
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