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J-GLOBAL ID：201802237420944967   整理番号：18A0160133

GaN-on-Si対川下準垂直パワーMOSFET【Powered by NICT】

GaN-on-Si Quasi-Vertical Power MOSFETs

著者 (3件)： Liu Chao (Power and Wide-band-gap Electronics Research Laboratory, E ́cole Polytechnique Fe ́de ́rale de Lausanne, Lausanne, Switzerland) ,  Abdul Khadar Riyaz (Power and Wide-band-gap Electronics Research Laboratory, E ́cole Polytechnique Fe ́de ́rale de Lausanne, Lausanne, Switzerland) ,  Matioli Elison (Power and Wide-band-gap Electronics Research Laboratory, E ́cole Polytechnique Fe ́de ́rale de Lausanne, Lausanne, Switzerland)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 39  号： 1  ページ： 71-74  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンに関する最初のGaN垂直トランジスタ,有機金属化学蒸着による6インチシリコン基板上に成長させた6.7μm厚n-p-nヘテロ構造に基づいて実証した。デバイスは4μm厚ドリフト層を持つトレンチゲート準垂直金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタから成り,6.3Vのしきい値電圧とオン/オフ比10~8のエンハンスメントモード動作を示した。645Vの高いOFF状態破壊電圧と共に6.8 mΩ・cm~2の比オン抵抗は高品質4μm厚GaNドリフト層のおかげで達成され,比較的低い欠陥密度と非常に高い電子移動度(720 cm ~2/V.s)を示した。この優れた性能は,低コストシリコン基板上に高性能GaN縦型パワートランジスタの実現に向けての大きな一歩を表している。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： オン抵抗 ,  MOCVD ,  *窒化ガリウム ,  FET【トランジスタ】 ,  電力トランジスタ ,  トランジスタ ,  ドリフト ,  *ケイ素
準シソーラス用語： 電子移動度 ,  絶縁破壊電圧 ,  エンハンスメントモード ,  閾値電圧 ,  ヘテロ構造 ,  シリコンウエハ ,  *パワーMOSFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaN ,  Si ,  垂直 ,  パワーMOSFET