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J-GLOBAL ID：201802237477808472   整理番号：18A0843929

金属および透明導電性酸化物電極を有するIGZO薄膜トランジスタの比接触抵抗と接触/半導体界面のXPS研究【JST・京大機械翻訳】

Specific contact resistance of IGZO thin film transistors with metallic and transparent conductive oxides electrodes and XPS study of the contact/semiconductor interfaces

著者 (8件)： Rivas-Aguilar M.E. (Department of Chemistry, The University of Texas at Dallas, USA) ,  Hernandez-Como N. (Centro de Nanociencias y Micro y Nanotecnologias, Instituto Politecnico Nacional, Mexico) ,  Gutierrez-Heredia G. (Department of Materials Science and Engineering, The University of Texas at Dallas, USA) ,  Sanchez-Martinez A. (CONACYT, Departamento de Ingenieria de Proyectos, Universidad de Guadalajara, Mexico) ,  Ramirez M. Mireles (Biomedical Engineering Department, Rochester Institute of Technology, Rochester, NY, USA) ,  Mejia I. (Department of Materials Science and Engineering, The University of Texas at Dallas, USA) ,  Quevedo-Lopez M.A. (Department of Chemistry, The University of Texas at Dallas, USA) ,  Quevedo-Lopez M.A. (Department of Materials Science and Engineering, The University of Texas at Dallas, USA)
資料名： Current Applied Physics  (Current Applied Physics)
巻： 18  号： 7  ページ： 834-842  発行年： 2018年 
JST資料番号： W1579A  ISSN： 1567-1739  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,非晶質インジウム-ガリウム-亜鉛-オキシド(IGZO)半導体と異なる接触電極間の比接触抵抗(ρ_c)を薄膜トランジスタ(TFT)から得た。Ti/Au(10/100nm),アルミニウムドープ酸化亜鉛(AZO,100nm)および酸化インジウムスズ(ITO,100nm)を,IGZO TFTを作製するためのソース/ドレイン電極として用いた。接触/半導体界面の化学状態を深さプロファイルX線光電子分光法(XPS)分析により調べ,比接触抵抗の違いの起源を説明した。Ti/Auを用いて達成された最低ρ_cは,層の下で半導体から拡散する酸素原子によるTiO_x中間層の形成に関連し,界面でのIGZOのキャリア濃度を増加させ,ρ_cを低下させた。反対に,IGZOとAZOまたはITOソース/ドレイン間に界面反応は観察されなかった。しかし,IGZO抵抗はITO接触により増加し,ITO蒸着中に酸素空孔が充填されたためと考えられる。この事実はIGZOとITOの間の高い接触抵抗の起源であると思われる。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *金 ,  非晶質 ,  酸化インジウムスズ ,  *界面 ,  酸化亜鉛 ,  キャリア密度 ,  *接触抵抗 ,  X線光電子分光法 ,  深さプロフィル ,  *半導体 ,  *薄膜トランジスタ ,  チタン
準シソーラス用語： 酸素空格子点 ,  *比接触抵抗 ,  *酸化インジウム・ガリウム・亜鉛 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 薄膜トランジスタ ,  金属および透明接触 ,  比接触抵抗 ,  界面 ,  XPS分析

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： 透明導電性酸化物 ,  IGZO ,  薄膜トランジスタ ,  比接触抵抗 ,  界面 ,  XPS ,  研究