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J-GLOBAL ID：201802237487812868   整理番号：18A0129298

ZnO薄膜トランジスタの性能に及ぼすAlドーピングの影響【Powered by NICT】

Effect of Al doping on performance of ZnO thin film transistors

著者 (7件)： Dong Junchen (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, China) ,  Han Dedong (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, China) ,  Li Huijin (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, China) ,  Yu Wen (Shenzhen Graduate School, Peking University, Shenzhen 518055, China) ,  Zhang Shendong (Shenzhen Graduate School, Peking University, Shenzhen 518055, China) ,  Zhang Xing (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, China) ,  Wang Yi (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 433  ページ： 836-839  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,アルミニウムドープ酸化亜鉛(AZO)薄膜と薄膜トランジスタ(TFT)の活性層としてのそれらの実現可能性を調べた。性能の比較は,AZO TFTとZnO TFT(薄膜トランジスタ)した。飽和移動度,サブ閾値スイング,及びオン/オフ電流比のような電気的特性は改善されたAZOは活性層として利用されている。薄膜材料の酸素成分はAlが活性層中の酸素欠陥の抑制,サブしきい値スイングを改善することを示した。,バンド構造解析に基づいて,AZOのキャリア濃度はZnOよりも高いことを観測し,飽和移動度の増強を導いた。薄膜の微細構造は,AZO膜が,ZnO膜,AZO TFTの低いオフ状態電流,高いオン/オフ電流比をもたらすよりもはるかに小さい結晶粒界を示すことを伝える。AZO薄膜はTFTの活性層であることを大きな可能性を示した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 結晶粒界 ,  酸素 ,  *酸化亜鉛 ,  活性層 ,  *アルミニウム ,  移動度 ,  *ドーピング ,  バンド構造 ,  *薄膜 ,  電気的性質 ,  電流 ,  キャリア密度 ,  *薄膜トランジスタ
準シソーラス用語： オフ電流 ,  サブ閾値スイング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： アルミニウムドープ酸化亜鉛 ,  薄膜トランジスタ ,  飽和移動度 ,  サブ閾値スイング ,  へのオフ電流比

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： ZnO薄膜 ,  トランジスタ ,  Al ,  ドーピング