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J-GLOBAL ID:201802237617175167   整理番号:18A1942608

CVDグラフェンにおける高精度抵抗量子化の観測【JST・京大機械翻訳】

Observation of High Accuracy Resistance Quantization in CVD Graphene
著者 (6件):
資料名:
巻: 2018  号: CPEM  ページ: 1-2  発行年: 2018年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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グラフェンを製造する主要技術は化学蒸着(CVD)である。本論文では,多結晶銅箔上に成長させたCVDグラフェン試料における高精度抵抗量子化の初めての観測を示した。極低温電流コンパレータを用いて行った高精度測定は,10~9において100個の部品の抵抗量子化精度を明らかにした。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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図形・画像処理一般 
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