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J-GLOBAL ID：201802237660619945   整理番号：18A1905184

フォトレジスト乾燥ストリップ応用のための円筒状ICP源におけるO2,N2およびO2-N2ガス中のEからHモードへの遷移の実験的測定【JST・京大機械翻訳】

Experimental measurement of E to H mode transition in O2, N2 and O2-N2 gases in cylindrical ICP source for photoresist dry-strip applications

著者 (4件)： Nawaz S. (PSK Inc., Seoku-dong, Hwaseoung-si, 445-170, South Korea) ,  Rhee H. S. (PSK Inc., Seoku-dong, Hwaseoung-si, 445-170, South Korea) ,  Kim D. H. (PSK Inc., Seoku-dong, Hwaseoung-si, 445-170, South Korea) ,  Yoon S. J. (PSK Inc., Seoku-dong, Hwaseoung-si, 445-170, South Korea)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ICOPS  ページ： 1  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 要約は与えられただけである。誘導結合プラズマ(ICP)は,低圧下で利用可能な高いプラズマ密度と低い汚染を含む魅力的な性質により,半導体製造プロセスに広く関心を引いている。圧力制御チャンバ内の種々の気体混合物におけるE-Hモード遷移変化の特性を報告した。フォトレジストドライストリッププロセス用に設計された著者らの放電チャンバは直径200mmで,3ターン外部円筒形アンテナコイルで構成されており,これはπ型整合ネットワークを通して13.56MHzのRFパワーを維持した。Oラジカルの発生は,ウエハ上に堆積したフォトレジスト(PR)を除去するために,半導体産業におけるドライストリッププロセスにとって非常に興味深い。O2プラズマ中のN2の混合物は2分子の衝突によりOラジカルの一部を増加させる。プロセスツールをより良く理解するために,種々のガス混合物におけるEHモード遷移パワーを評価することは興味深い。コイル上の電圧と電流を高電圧プローブと電流センサで測定した。予備的な結果は,純窒素とガス混合物より純酸素に対して,EからHモードへの遷移が比較的低いパワーで起こることを示した。N2分子に対する衝突と電子中性衝突周波数によるエネルギー損失は,より高い遷移ICPパワーを必要とするO2よりも大きい。さらに,Oラジカル発生を比較するために,異なるガス混合物においてPRストリップ速度を比較した。全PRストリップ量を2つのガス混合物の比率を変えるために比較した。実験結果は,全PRストリップ量がO2プラズマ間のN2混合に対して増加することを示した。これらの結果は,効率的なICP源を操作し,PR乾式ストリッププロセスのプロセス条件を最適化すると考えられる。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *フォトレジスト ,  電圧 ,  プラズマ ,  プローブ ,  プラズマ密度 ,  *帯板 ,  最適化 ,  低圧 ,  ネットワーク ,  放電 ,  電流 ,  半導体プロセス ,  ラジカル ,  *円筒
準シソーラス用語： チャンバ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (9件)： フォトレジスト ,  ストリップ ,  応用 ,  ICP ,  O2 ,  N2 ,  Hモード ,  遷移 ,  実験