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J-GLOBAL ID：201802237721696979   整理番号：18A0165917

低電力応用のための革新的なGeS_2/Sb_2Te_3ベース相変化メモリ【Powered by NICT】

Innovative GeS₂/Sb₂Te₃ based phase change memory for low power applications

著者 (13件)： Kluge Julia (STMicroelectronics, 850 rue Jean Monnet, 38920 Crolles, France) ,  Verdy Anthonin (CEA, LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, France) ,  Navarro Gabriele (CEA, LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, France) ,  Blonkowski Serge (STMicroelectronics, 850 rue Jean Monnet, 38920 Crolles, France) ,  Sousa Veronique (CEA, LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, France) ,  Chevalliez Sophie (CEA, LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, France) ,  Kowalczyk Philippe (CEA, LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, France) ,  Bernard Mathieu (CEA, LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, France) ,  Bernier Nicolas (CEA, LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, France) ,  Bourgeois Guillaume (CEA, LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, France) ,  Castellani Niccolo (CEA, LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, France) ,  Noe Pierre (CEA, LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, France) ,  Perniola Luca (CEA, LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, France)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： NVMTS  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,GeS_2/Sb_2Te_3組成(GSST)に基づく新しい相変化メモリ(PCM)デバイスの電気的性能を解析した。物理化学的分析と電気的特性評価により,ユニタリーGSST素子におけるRESETプログラミング電流の大きな減少を実証した。デバイスの電力効率増加に寄与する,電気的および熱的閉込め改善はGSST層を達成しているかについて示した。最後に,290°C以上の強化された熱安定性が達成された。完全集積化デバイスのTEM分析により,GeS_2とSb_2Te_3間の相分離を示し,デバイスは完全に非晶質マトリックス中で還元された結晶量だけで切り替わるという仮説を支持することができた。この結果は,低電力/高密度メモリ応用のための可能な候補としてGSST PCMを可能にした。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 非晶質 ,  相分離 ,  電力効率 ,  結晶 ,  電流 ,  *記憶装置 ,  計算機プログラミング ,  電気的性質 ,  熱安定性
準シソーラス用語： 高密度 ,  *低電力化 ,  *相変化メモリ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： 低電力 ,  応用 ,  相変化メモリ