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J-GLOBAL ID：201802237736811637   整理番号：18A2042381

マイクロデバイス応用のための多孔質炭化ケイ素の電気化学的形成【JST・京大機械翻訳】

Electrochemical Formation of Porous Silicon Carbide for Micro-Device Applications

著者 (5件)： Gautier Gael (Universite de Rennes l, Groupe de Microelectronique et Visualisation, UPRESA au CNRS 6076; Campus de Beaulieu, Bat 11B, Rennes, 35042, France) ,  Defforge Thomas (Universite de Rennes l, Groupe de Microelectronique et Visualisation, UPRESA au CNRS 6076; Campus de Beaulieu, Bat 11B, Rennes, 35042, France) ,  Gomme Guillaume (Universite de Rennes l, Groupe de Microelectronique et Visualisation, UPRESA au CNRS 6076; Campus de Beaulieu, Bat 11B, Rennes, 35042, France) ,  Valente Damien (Universite de Rennes l, Groupe de Microelectronique et Visualisation, UPRESA au CNRS 6076; Campus de Beaulieu, Bat 11B, Rennes, 35042, France) ,  Alquier Daniel (Universite de Rennes l, Groupe de Microelectronique et Visualisation, UPRESA au CNRS 6076; Campus de Beaulieu, Bat 11B, Rennes, 35042, France)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 924  ページ： 943-946  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フッ化水素酸(HF)溶液中の炭化ケイ素(SiC)の陽極酸化は,従来の化学エッチング法に対して非常に抵抗性のあるこの材料をエッチングする有望な方法である。さらに,いくつかの再現性のある多孔質SiC形態を,陽極酸化条件(電流密度,電解質組成,UV照明)および/または基板特性(ドーピングタイプおよびレベル)を変えて実行できることを示した。本論文では,Gremanにおける多孔質SiCエッチングの現状とHFベース電解質における陽極酸化を用いて達成可能な形態の提示を提案した。Copyright 2018 Trans Tech Publications Ltd. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 形態 ,  照明 ,  再現性 ,  ドーピング ,  エッチング ,  電解質 ,  *炭化ケイ素 ,  電流密度 ,  多孔質シリコン ,  *電気化学 ,  基板 ,  ウェットエッチング ,  多孔質体 ,  *多孔性 ,  アノード酸化
準シソーラス用語： フッ化水素酸 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 多孔質炭化けい素 ,  電気化学エッチング ,  ふっ化水素酸

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  電気化学反応  (CB07050F) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： マイクロデバイス ,  応用 ,  多孔質 ,  炭化ケイ素 ,  電気化学