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J-GLOBAL ID：201802238033887761   整理番号：18A1622484

10Aフォワード電流と1.6kV絶縁破壊電圧を持つ垂直GaN-on-GaN p-nダイオード【JST・京大機械翻訳】

Vertical GaN-on-GaN p-n Diodes with 10-A Forward Current and 1.6 kV Breakdown Voltage

著者 (8件)： Wang J. (University of Notre Dame, 275 Fitzpatrick Hall, Notre Dame, IN, 46556, USA) ,  Cao L. (University of Notre Dame, 275 Fitzpatrick Hall, Notre Dame, IN, 46556, USA) ,  Xie J. (Qorvo, 500 W. Renner Rd., Richardson, TX, 75080, USA) ,  Beam E. (Qorvo, 500 W. Renner Rd., Richardson, TX, 75080, USA) ,  Youtsey C. (MicroLink Devices., 6457 W. Howard St., Niles, IL, 60714, USA) ,  McfCarthy R. (MicroLink Devices., 6457 W. Howard St., Niles, IL, 60714, USA) ,  Guido L. (Virgina Tech, 302 Whittemore, Blacksburg, VA, 24061, USA) ,  Fay Patrick (University of Notre Dame, 275 Fitzpatrick Hall, Notre Dame, IN, 46556, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： DRC  ページ： 1-2  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒化ガリウム(GaN)材料系は,広いバンドギャップ,高い臨界電場,および大きな移動度と飽和電子速度を含む独特の材料特性により,高効率電力スイッチング応用のための最も有望な材料システムの一つになった。高電圧,高電流応用に対して,バルクGaN基板上の垂直素子構造は特に有望である。デバイスを大規模な絶対電流にスケールする能力はパワーエレクトロニクスにとって重要であるが,今日まで,多くの実証されたデバイスの電流輸送能力はデバイス面積スケーリングにおける非理想性のために理論的期待の短い欠点を持っている。部分的に補償された層を組み込んだNイオン注入端終端を用いた高性能垂直GaN-on-GaN p-nダイオードを1.2kVの絶縁破壊電圧を達成するために実証し,逆および順方向電流密度の両方が面積[2]と良く一致することを見出した。本研究では,より高い破壊動作のために設計されたデバイス構造を調査し,広範囲の領域を持つデバイスを作製し,高電流駆動条件下で試験した。5.3Vの順方向電圧で10Aに近づくピーク順方向電流を,1.6kVの絶縁破壊電圧を持つ典型的な550μm直径GaN-on-GaN p-nダイオードに対して得た。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： スイッチング ,  *電流 ,  電力 ,  バンドギャップ ,  電場 ,  臨界 ,  素子構造 ,  *電圧 ,  電流密度 ,  移動度 ,  パワーエレクトロニクス ,  *ダイオード ,  *窒化ガリウム
準シソーラス用語： 材料特性 ,  *絶縁破壊電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (4件)： 絶縁破壊電圧 ,  垂直 ,  GaN ,  ダイオード