文献

J-GLOBAL ID：201802238077974067   整理番号：18A1383638

急峻傾斜FETデバイスのためのCMOS互換低電力揮発性原子スイッチ【JST・京大機械翻訳】

CMOS compatible low-power volatile atomic switch for steep-slope FET devices

著者 (6件)： Lim Seokjae (Department of Materials Science and Engineering, Pohang University of Science and Technology (POSTECH), 77 Cheongam-ro, Nam-gu, Pohang 37673, South Korea) ,  Yoo Jongmyung (Department of Materials Science and Engineering, Pohang University of Science and Technology (POSTECH), 77 Cheongam-ro, Nam-gu, Pohang 37673, South Korea) ,  Song Jeonghwan (Department of Materials Science and Engineering, Pohang University of Science and Technology (POSTECH), 77 Cheongam-ro, Nam-gu, Pohang 37673, South Korea) ,  Woo Jiyong (School of Electrical, Computer and Energy Engineering, Arizona State University, Tempe, Arizona 85281, USA) ,  Park Jaehyuk (Department of Materials Science and Engineering, Pohang University of Science and Technology (POSTECH), 77 Cheongam-ro, Nam-gu, Pohang 37673, South Korea) ,  Hwang Hyunsang (Department of Materials Science and Engineering, Pohang University of Science and Technology (POSTECH), 77 Cheongam-ro, Nam-gu, Pohang 37673, South Korea)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 113  号： 3  ページ： 033501-033501-4  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,FETにおける急峻なサブ閾値スイング(SS)(<5mV/dec)特性を得るために利用できる揮発性原子スイッチを実証した。電圧-時間ジレンマに対する揮発性と免疫を実証するCMOS互換性原子スイッチ(W/Cu_2S/W)を提案した。さらに,組成制御,素子サイズのスケーリング,膜厚を調べることにより,素子特性を向上させた。次に,原子スイッチを,大きなSS(>60mV/dec)を持つ従来のトランジスタと統合した。結果は,SSの改善を示し,それは,伝導性フィラメントの形成と破壊によって引き起こされるオンとオフ状態の間の原子スイッチの遷移から生じる。その結果,低いI_OFF(~10~5μA/μm),高いI_ON/I_OFF比(~10~5),低いV_DD(~0.25V),急峻なSS(<5mV/dec)などのFETに対して優れたスイッチング特性が得られた。Copyright 2018 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 膜厚 ,  フィラメント ,  揮発性 ,  *互換性 ,  トランジスタ ,  CMOS ,  電圧
準シソーラス用語： スイッチング特性 ,  オフ状態 ,  デバイス特性 ,  サブ閾値スイング ,  *原子スイッチ ,  *低電力化 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 継電器・スイッチ  (NA05060K) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： FET ,  CMOS ,  低電力 ,  揮発性 ,  原子スイッチ