文献

J-GLOBAL ID：201802238194894575   整理番号：18A0813676

SbドープZnO膜のXRD,SEM,XPS研究およびそのベースSchottkyダイオードの電気的性質【JST・京大機械翻訳】

XRD, SEM, XPS studies of Sb doped ZnO films and electrical properties of its based Schottky diodes

著者 (3件)： Caglar Yasemin (Anadolu University, Science Faculty, Physics Department, Eskisehir, Turkey) ,  Caglar Mujdat (Anadolu University, Science Faculty, Physics Department, Eskisehir, Turkey) ,  Ilican Saliha (Anadolu University, Science Faculty, Physics Department, Eskisehir, Turkey)
資料名： Optik  (Optik)
巻： 164  ページ： 424-432  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0251A  ISSN： 0030-4026  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究は,ゾル・ゲル浸漬被覆法によりITO基板上に成長させたZnOベースのSchottkyダイオードのSbドーピングと電気的特性化に依存するZnOの形態的および構造的特性化の両方を提示する。Schottkyダイオード作製において,アンドープおよびSbドープZnOを用い,それぞれn型およびp型挙動を示した。非ドープおよびSbドープZnOに対して,PtおよびAlを金属接触として用いた。表面形態に対して,走査電子顕微鏡(SEM)を行い,Schottkyダイオード性能に重要な役割を果たす表面特性をSEMにより特性化した。X線回折(XRD)測定は,結晶品質がより悪くなり,結晶子サイズがSb取り込みと共に減少することを明らかにした。ZnO中のSbの存在をX線光電子分光法(XPS)により確認した。アンドープおよびSbドープZnOベースのSchottkyダイオードを作製し,それらの電気的性質を暗所で行った。理想因子(n),障壁高さ(φ_B)および直列抵抗(R_s)のようなダイオードパラメータを,熱電子放出理論およびCheung法を用いて系統的に解析した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 走査電子顕微鏡 ,  キャラクタリゼーション ,  X線光電子分光法 ,  *電気的性質 ,  *X線回折 ,  アルミニウム ,  *アンチモン ,  *ドーピング ,  *Schottky障壁ダイオード ,  表面性状 ,  ゾル-ゲル法 ,  *酸化亜鉛 ,  構造特性
準シソーラス用語： 理想因子 ,  表面形態 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： SbドープZnO ,  XPS ,  Schottkyダイオード ,  Cheung関数

分類 (2件)： 光物性一般  (BM08010A) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (9件)： Sb ,  ドープ ,  ZnO ,  XRD ,  SEM ,  XPS ,  研究 ,  Schottkyダイオード ,  電気的性質