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J-GLOBAL ID：201802238224802794   整理番号：18A1243474

二重ゲートグラフェン電界効果トランジスタにおける増強されたコンダクタンス【JST・京大機械翻訳】

Enhanced transconductance in a double-gate graphene field-effect transistor

著者 (6件)： Hwang Byeong-Woon (School of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST), Daejeon 34141, Republic of Korea) ,  Yeom Hye-In (Department of Materials Science and Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST), Daejeon 34141, Republic of Korea) ,  Kim Daewon (Department of Electronic Engineering, Kyung Hee University, 1732 Deogyeong-daero, Giheung-gu, Yongin 17104, Republic of Korea) ,  Kim Choong-Ki (School of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST), Daejeon 34141, Republic of Korea) ,  Lee Dongil (School of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST), Daejeon 34141, Republic of Korea) ,  Choi Yang-Kyu (School of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST), Daejeon 34141, Republic of Korea)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 141  ページ： 65-68  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二重ゲート,三ゲートおよびゲート-オール-周辺トランジスタのようなマルチゲートトランジスタは,今日,最も進歩したSiトランジスタ構造である。ここでは,グラフェンチャネルを持つ真性二重ゲートトランジスタを実験的に実証した。二重ゲートグラフェン電界効果トランジスタ(DG GFET)の上部と底部ゲートを電気的に接続し,グラフェンチャネルの伝導率を上部と底部ゲートの両方により同時に変調できるようにした。トップゲートのみを持つ単一ゲートグラフェン電界効果トランジスタ(SG GFET)も制御デバイスとして作製した。系統解析のために,両GFETの伝達特性を測定し比較した。SG GFETの最大相互コンダクタンスは17.1μS/μmであったが,DG GFETの最大相互コンダクタンスは25.7μS/μmであり,約50%の増強であった。相互コンダクタンスの増強を再生し,GFETの物理ベースのコンパクトモデルにより包括的に説明した。本研究におけるDG GFETの増強された移動特性の研究は,高性能グラフェントランジスタ技術のためのマルチゲートアーキテクチャの可能性を示した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *トランジスタ ,  ケイ素 ,  相互コンダクタンス ,  制御装置 ,  *コンダクタンス ,  *グラフェン
準シソーラス用語： グラフェントランジスタ ,  コンパクトモデル ,  伝達特性 ,  系統解析 ,  トップゲート ,  伝導率 ,  *二重ゲート , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ダブルゲート ,  電界効果トランジスタ ,  グラフェン ,  コンダクタンス

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 二重ゲート ,  グラフェン ,  電界効果トランジスタ ,  増強 ,  コンダクタンス