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J-GLOBAL ID:201802238473047247   整理番号:18A1805369

Xを増加させた鉄-マンガン窒化物Fe_4-xMn_n膜における少数から多数のスピン輸送への遷移【JST・京大機械翻訳】

Transition from minority to majority spin transport in iron-manganese nitride Fe4-xMnN films with increasing x
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資料名:
巻: 124  号: 12  ページ: 123905-123905-8  発行年: 2018年 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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ここでは,30nm厚さのFe_4-xMn_xN(x=0,1,2,3,および4)エピタキシャル膜を分子線エピタクシーによりMgO(001)基板上に成長させ,異方性磁気抵抗(AMR)特性を10~300Kの温度(T)で測定した。T≦300KでFe_4NとFeMn_3N膜,T≦100KでMn_4N膜で負のAMR効果が観察された。対照的に,正のAMR効果は,T≦300KでFe_3MnNとFe_2Mn_2N膜で観察された。AMR比,Fermi準位における状態密度のスピン分極,および電気伝導率(P_σ)のスピン分極の間の関係を用いて,Fe_4N,Fe_3MnN,およびFe_2Mn_2Nにおいて負であるP_σの符号を引き出し,FeMn_3NおよびMn_4Nにおいて正であった。これらの結果は,少数のスピン輸送が低温でのx=0,1,および2のFe_4-xMn_xNにおいて支配的であるが,大部分のスピン輸送はx=3および4のFe_4-xMn_xNのxの増加とともに支配的であることを示した。Copyright 2018 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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金属結晶の磁性 
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