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J-GLOBAL ID：201802238553065352   整理番号：18A1676767

ナノスケール記憶デバイスと不揮発性単極二重スロットスイッチのための集中RFモデル【JST・京大機械翻訳】

A Lumped RF Model for Nanoscale Memristive Devices and Nonvolatile Single-Pole Double-Throw Switches

著者 (2件)： Wainstein Nicolas (Andrew and Erna Viterbi Faculty of Electrical Engineering, Technion-Israel Institute of Technology, Haifa, Israel) ,  Kvatinsky Shahar (Andrew and Erna Viterbi Faculty of Electrical Engineering, Technion-Israel Institute of Technology, Haifa, Israel)
資料名： IEEE Transactions on Nanotechnology  (IEEE Transactions on Nanotechnology)
巻： 17  号： 5  ページ： 873-883  発行年： 2018年 
JST資料番号： W1355A  ISSN： 1536-125X  CODEN： ITNECU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,ナノスケールRFメムリスティックデバイスの定常状態高周波挙動を正確に予測する拡張可能な集中モデルを提示した。モデルは,デバイスの物理構造に基づくパラメータを決定し,構造修正を通して最適化された回路設計と性能を可能にする閉形式方程式のセットによって解析的に記述され,2)モデルパラメータを実験データに適合させ,モデルの精度の評価を可能にする。このモデルは著者らの知る限り,文献で報告された経験的測定から得られたデバイス寄生を含む最初の集中RFメムリスタモデルである。結果は,このモデルが,オン状態の大きさと位相に対して,それぞれ,9.6%と13%の相対RMS誤差で,合理的に正確であることを示した。さらに,著者らの集中RFメムリスタモデルを用いて,不揮発性単極二重スロットスイッチの三つのトポロジー(直列,シャント,直列シャント)を提案した。直列およびシャントトポロジーは単一電圧制御であるが,直列シャントは二つの制御信号を必要とする。これらのトポロジーのシミュレーション結果は,低挿入損失と高アイソレーション(それぞれ0.25dB以下と63dB以上)を示した。添加した非揮発性とナノスケールのサイズは,電力消費の低減と高密度デバイスをもたらす。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *非揮発性 ,  電圧制御 ,  電力消費 ,  *モデル ,  位相幾何学 ,  *スイッチ ,  シミュレーション ,  最適化 ,  回路設計 ,  位相
準シソーラス用語： オン状態 ,  メモリスタ ,  閉形式 ,  定常状態 ,  *ナノスケール , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (7件)： ナノスケール ,  記憶デバイス ,  不揮発性 ,  極 ,  スロット ,  RF ,  モデル