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J-GLOBAL ID：201802238643842449   整理番号：18A0426573

TiNバッファ層を用いたSi(001)表面上のCoFe_2O_4薄膜のエピタキシャル集積【Powered by NICT】

Epitaxial integration of CoFe₂O₄ thin films on Si (001) surfaces using TiN buffer layers

著者 (9件)： Prieto Pilar (Dpto. Fisica Aplicada M-12, Universidad Autonoma de Madrid, 28049, Madrid, Spain) ,  Marco Jose F. (Instituto de Quimica Fisica “Rocasolano”, CSIC, 28006, Madrid, Spain) ,  Prieto Jose E. (Centro de Microanalisis de Materiales (CMAM) and Dpto. Fisica de la Materia Condensada, Universidad Autonoma de Madrid, 28049, Madrid, Spain) ,  Ruiz-Gomez Sandra (Dpto. de Fisica de Materiales and Unidad Asociada IQFR-CSIC, Universidad Complutense de Madrid, Madrid, E-28040, Spain) ,  Perez Lucas (Dpto. de Fisica de Materiales and Unidad Asociada IQFR-CSIC, Universidad Complutense de Madrid, Madrid, E-28040, Spain) ,  Perez Lucas (IMDEA Nanoscience, 28049, Madrid, Spain) ,  del Real Rafael P. (Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid, CSIC, E-28049, Madrid, Spain) ,  Vazquez Manuel (Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid, CSIC, E-28049, Madrid, Spain) ,  de la Figuera Juan (Instituto de Quimica Fisica “Rocasolano”, CSIC, 28006, Madrid, Spain)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 436  ページ： 1067-1074  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強い面内磁気異方性を持つエピタキシャルコバルトフェライト薄膜を,TiNバッファ層を用いたSi(001)基板上に成長させた。エピタキシャル膜は金属,CoFe_2,あるいはセラミック,CoFe_2O_4,ターゲットを用いたイオンビームスパッタリングにより成長させた。ランダム及びチャンネリング配置でのX線回折(XRD)とRutherford分析(RBS)は,エピタキシャル関係CoFe_2O_4[100]/TiN[100]/Si[100]を決定した。,XRDとRBSとの組合わせで,Moessbauer分光法は,コバルトフェライト薄膜の組成と構造を決定するために用いた。TiNバッファ層は,コバルトフェライト薄膜面内磁気異方性を生じる圧縮応力を誘導した。面内異方性の程度はCoFe_2O_4とTiNの間の格子不整合,セラミックターゲットを用いた反応性スパッタリングプロセス上に成長させたCoFe_2O_4薄膜の大きいに依存する。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 反応性スパッタリング ,  格子不整合 ,  *エピタクシー ,  チャネリング ,  Moessbauer分光法 ,  セラミック ,  *バッファ層 ,  *薄膜 ,  イオンビームスパッタリング ,  圧縮応力 ,  磁気異方性 ,  X線回折
準シソーラス用語： コバルトフェライト ,  面内磁気異方性 ,  *窒化チタン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： コバルトフェライト ,  エピタキシャル薄膜 ,  シリコンデバイス集積 ,  磁気異方性

分類 (1件)： 磁性材料  (NA04040H)

タイトルに関連する用語 (6件)： TiN ,  バッファ層 ,  Si ,  薄膜 ,  エピタキシャル ,  集積