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J-GLOBAL ID:201802238725789656   整理番号:18A1310396

圧電バイポーラトランジスタに基づく超高感度歪センサ【JST・京大機械翻訳】

Ultra-high sensitivity strain sensor based on piezotronic bipolar transistor
著者 (8件):
資料名:
巻: 50  ページ: 744-749  発行年: 2018年 
JST資料番号: W3116A  ISSN: 2211-2855  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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圧電と半導体特性の結合により,ウルツ鉱型構造半導体は高性能圧電素子の作製に用いられてきた。キャリア輸送挙動は,印加歪により誘起された分極電荷により効果的に制御できる。高感度圧電歪センサは,次世代の自己給電,フレキシブルエレクトロニクス,およびウェアラブルシステムにおいて潜在的応用を有する。本研究では,圧電バイポーラトランジスタを理論計算と数値シミュレーションにより研究した。出力電流,ゲージ因子およびキャリア濃度を異なる歪の影響下でシミュレートした。圧電バイポーラトランジスタに基づく歪センサは超高感度を有し,ゲージ因子は10~4以上に達することができる。この研究は,双極トランジスタに及ぼす圧電効果に対する理論的洞察を提供するだけでなく,超高感度歪センサを設計するための新しいアプローチを提示した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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圧電デバイス 
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