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J-GLOBAL ID:201802238783546728   整理番号:18A0844852

0.18μm SiGe BiCMOS技術に基づく50Gb/s高感度(9.2dBm)低電力(7.9pJ/ビット)光受信機【JST・京大機械翻訳】

A 50-Gb/s High-Sensitivity (-9.2 dBm) Low-Power (7.9 pJ/bit) Optical Receiver Based on 0.18- $¥mu$ m SiGe BiCMOS Technology
著者 (7件):
資料名:
巻: 53  号:ページ: 1518-1538  発行年: 2018年 
JST資料番号: B0761A  ISSN: 0018-9200  CODEN: IJSCBC  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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0.18μm SiGe BiCMOS技術に基づく50Gb/s光受信機(RX)を製作し評価した。電力効率を劣化させることなく,RXの水平アイ開口と感度を改善するために,高利得(56dBΩ)と高帯域(35GHz)の二段プリアンプ,感度改善のための電力供給変動とオフセットキャンセラからなる高精度自動決定閾値制御(ATC),および過渡性平坦性改善のためのジッタ低減パッケージ構造を構成した。RXは-9.2dBmの高感度を達成し,一方,その電力消費は50Gb/sのデータ速度で7.9pJ/ビットである。100m多重モードファイバ(MMF)を通した50および56Gb/s伝送試験において,-9および-6.1dBmの光変調振幅(OMA)の感度で,10-12以下のビット誤り率(BER)で誤りのない動作を実証した。また,それは,-7.6dBm OMAの実用的感度で,300mのエラーフリーMMF伝送(50Gb/sで)を実証した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】
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半導体集積回路 

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