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J-GLOBAL ID：201802239051508733   整理番号：18A0144618

時系列データを用いた半導体デバイスの信頼性のための許容限界の決定【Powered by NICT】

Determination of tolerance limits for the reliability of semiconductor devices using longitudinal data

著者 (4件)： Hofer Vera (Institute of Statistics and Operations Research, University of Graz, Universitaetsstrasse 15/E3, 8010 Graz, Austria) ,  Leitner Johannes (Institute of Statistics and Operations Research, University of Graz, Universitaetsstrasse 15/E3, 8010 Graz, Austria) ,  Lewitschnig Horst (Infineon Technologies Austria AG, Siemensstrasse 2, 9500 Villach, Austria) ,  Nowak Thomas (Institute of Statistics and Operations Research, University of Graz, Universitaetsstrasse 15/E3, 8010 Graz, Austria)
資料名： Quality and Reliability Engineering International  (Quality and Reliability Engineering International)
巻： 33  号： 8  ページ： 2673-2683  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0764C  ISSN： 0748-8017  CODEN： QREIE5  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 自動車工業用半導体デバイスの設計と製作は,高い信頼性要求により特性化され,これらの装置の適切な機能は全特定寿命で保証されることを示した。,製造者は製品がその製品が耐えなければならない厳しい要求をシミュレートする大規模な試験手順を受けた。このような試験は,典型的には,高度に加速され,全寿命期間に渡って生成物の挙動を試験した。電気パラメータのドリフトの場合,製造業者は,それらの最終的な電気製品試験のための適切な許容限界を見つける必要がある,全特定寿命にわたるそれらのデバイスの適切な機能が確保されることを示した。本研究では,収量損失を最小化する許容限界の決定のための統計的モデルを提示した。モデルは連続特徴の縦断的測定,応力試験からの打切りデータに基づいて考察した。依存性構造は異なるコピュラで表現されるように,許容限界は多変量分布から導出した。広範な数値試験に基づいて,素子の異なるドリフト挙動のためのこのモデルの特性への洞察を提供することができる。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 打切 ,  *半導体素子 ,  *許容限界 ,  生産者 ,  キャラクタリゼーション ,  *信頼性 ,  自動車工業 ,  ドリフト
準シソーラス用語： 高信頼性 ,  *時系列データ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 多変量確率 ,  信頼性工学 ,  半導体素子の信頼性

分類 (1件)： 信頼性  (KB04040H)

タイトルに関連する用語 (3件)： 時系列データ ,  半導体デバイスの信頼性 ,  許容限界