Liu Yan について
College of Electronics and Information, Hangzhou Dianzi University, Hangzhou, 310018, China について
Lin Zhaojun について
School of Microelectronics, Shandong University, Jinan, 250100, China について
Cui Peng について
School of Microelectronics, Shandong University, Jinan, 250100, China について
Fu Chen について
School of Microelectronics, Shandong University, Jinan, 250100, China について
Lv Yuanjie について
National Key Laboratory of Application Specific Integrated Circuit (ASIC), Hebei Semiconductor Research Institute, Shijiazhuang, 050051, China について
Cheng Zhiqun について
College of Electronics and Information, Hangzhou Dianzi University, Hangzhou, 310018, China について
Superlattices and Microstructures について
FET【トランジスタ】 について
最適化 について
分極 について
窒化ガリウム について
偏光 について
散乱 について
二次元電子ガス について
素子構造 について
高温 について
窒化アルミニウム について
分極電荷 について
HFET について
電子移動度 について
ヘテロ構造 について
窒化アルミニウムガリウム について
AlGaN/AlN/GaN HFET について
高温電子移動度 について
偏光Coulomb場散乱 について
半導体薄膜 について
ポーラロン,電子-フォノン相互作用 について
13-15族化合物を含む半導体-半導体接合 について
トランジスタ について
AlGaN について
AlN について
GaN について
ヘテロ構造 について
電界効果トランジスタ について
電子移動度 について
偏光 について
Coulomb について
散乱 について