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J-GLOBAL ID：201802239172567638   整理番号：18A1616955

AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタにおける高温電子移動度に対する偏光Coulomb場散乱の影響【JST・京大機械翻訳】

Influence of polarization Coulomb field scattering on high-temperature electron mobility in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors

著者 (6件)： Liu Yan (College of Electronics and Information, Hangzhou Dianzi University, Hangzhou, 310018, China) ,  Lin Zhaojun (School of Microelectronics, Shandong University, Jinan, 250100, China) ,  Cui Peng (School of Microelectronics, Shandong University, Jinan, 250100, China) ,  Fu Chen (School of Microelectronics, Shandong University, Jinan, 250100, China) ,  Lv Yuanjie (National Key Laboratory of Application Specific Integrated Circuit (ASIC), Hebei Semiconductor Research Institute, Shijiazhuang, 050051, China) ,  Cheng Zhiqun (College of Electronics and Information, Hangzhou Dianzi University, Hangzhou, 310018, China)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 120  ページ： 389-394  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタ(HFET)の高温電子移動度(μ_HT)を300~500Kの温度範囲で調べた。ここでは,AlGaN/GaN HFETにおけるμ_HTに及ぼす分極Coulomb場(PCF)散乱の影響に注目し,実験結果は,PCF散乱が高温での電子移動度対二次元電子ガス(2DEG)密度の変化傾向においてより重要な役割を果たすことを明らかにした。さらに,PCF散乱は温度の上昇と共に変化することが分かった。これは,ゲート接触の下の付加的な正の分極電荷と温度とのソースOhm接触の近くの付加的な負の分極電荷の間の相互作用の変化に密接に関係している。したがって,PCF散乱は依然として高温での重要な散乱機構である。この発見は,PCF散乱に基づく適切な素子構造を設計することにより,高温でのAlGaN/AlN/GaN HFETの性能の最適化に大きく役立つ。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  最適化 ,  分極 ,  *窒化ガリウム ,  *偏光 ,  *散乱 ,  二次元電子ガス ,  素子構造 ,  *高温 ,  *窒化アルミニウム
準シソーラス用語： 分極電荷 ,  HFET ,  *電子移動度 ,  *ヘテロ構造 ,  *窒化アルミニウムガリウム , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： AlGaN/AlN/GaN HFET ,  高温電子移動度 ,  偏光Coulomb場散乱

分類 (4件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  ポーラロン,電子-フォノン相互作用  (BM02130P) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： AlGaN ,  AlN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  電界効果トランジスタ ,  電子移動度 ,  偏光 ,  Coulomb ,  散乱