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J-GLOBAL ID：201802239306550838   整理番号：18A0160119

HfO_2~をベースとした強誘電体電界効果トランジスタの耐久性問題の研究:電荷捕獲とトラップ発生【Powered by NICT】

A Study of Endurance Issues in HfO₂-Based Ferroelectric Field Effect Transistors: Charge Trapping and Trap Generation

著者 (2件)： Gong Nanbo (Electrical Engineering Department, Yale University, New Haven, CT, USA) ,  Ma Tso-Ping (Electrical Engineering Department, Yale University, New Haven, CT, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 39  号： 1  ページ： 15-18  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 急激にスケーリングされたHfO_2~ベース強誘電体電界効果トランジスタ(FE HfO_2~-FET)の最近の実証は,CMOS互換性,低電力,高速スイッチング速度,スケーラビリティ,と長い保持を持っていることをFeFETを作製するための経路を説明した。この有望な技術の1つの潜在的問題は,その限られた耐久性,強誘電HfO_2層における分極の疲労前後ゲートスタックの劣化に起因している。いくつかの関連研究は,重要な悪玉として電荷の捕獲とトラップの生成が同定されているが,二つの前述の根底にある機構の明確な理解はまだ得られていない。本短報において,筆者らはFE HfO_2FETの耐久性破壊を引き起こす際の電荷捕獲とトラップ生成の役割を調べるために本論文を開始した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 互換性 ,  高速度 ,  CMOS ,  *耐久性
準シソーラス用語： ゲートスタック ,  二層 ,  スイッチング速度 ,  低電力化 ,  *電荷捕獲 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 強誘電体電界効果トランジスタ ,  問題 ,  研究 ,  電荷捕獲 ,  トラップ