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J-GLOBAL ID：201802239414636185   整理番号：18A1700741

Al₂O₃の非電荷表面モデルを用いたオーバラップゲートMOSFETシミュレーションの水素終端ダイヤモンド界面

Hydrogen Terminated Diamond Interface Properties of Overlapping Gate MOSFET Simulation Using Non-charge Surface Model with Al₂O₃

著者 (3件)： MOHAMMED Alhasani Reem (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  YABE T. (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  KAWARADA H. (Waseda Univ., Tokyo, JPN)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 79th  ページ： ROMBUNNO.21p-232-12  発行年： 2018年09月05日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *ダイヤモンド ,  *MOSFET ,  ゲート【半導体】 ,  接触抵抗 ,  *Schottky障壁 ,  価電子バンド ,  伝導バンド ,  電流電圧特性 ,  電流
準シソーラス用語： 水素終端 ,  チャネル移動度 ,  Schottky障壁高さ ,  ドレイン電流

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (10件)： Al2O3 ,  電荷 ,  モデル ,  オーバラップ ,  ゲート ,  MOSFET ,  シミュレーション ,  水素終端 ,  ダイヤモンド ,  界面