文献

J-GLOBAL ID：201802239541845496   整理番号：18A2043354

国の技術的基礎で得られたTiN/Hf_0.5Zr_0.5O_2/TiN/SiO_2/SiおよびTiN/Hf_xAl_1-xO_y/Pt/SiO_2/Si試験構造におけるHfO_xに基づく不揮発性メモリの有望な材料とデバイスパラメータの達成【JST・京大機械翻訳】

Promising Materials of Nonvolatile Memory Based on HfOx and Achievement of Device Parameters in the TiN/Hf_0.5Zr_0.5O₂/ TiN/SiO₂/Si and TiN/Hf_XAl_1-XO_Y/Pt/SiO₂/Si Test Structures Obtained on the National Technological Basis

著者 (1件)： Orlov Oleg M. (NIIME(SC Research Institute of Molecular Electronics), research department; 1-st Western Passage, 12/1, Moscow, Zelenograd, Russian Federation, 124460)
資料名： Defect and Diffusion Forum  (Defect and Diffusion Forum)
巻： 386  ページ： 172-177  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0958B  ISSN： 1012-0386  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： HfO_2に基づく不揮発性メモリを有する材料の特性と応用を簡潔に考察した。さらに,得られた結果の概要を示した。これらの結果に基づいて,原子層堆積によって得られたFeRAMおよびReRAM型の不揮発性メモリに対する構造TiN/Hf_0.5Zr_0.5O_2/TiN/SiO_2/SiおよびTiN/HfxAl_1-xO_y/Pt/SiO_2/Siの使用の可能性を示した。さらに,これらの素子のスケーラビリティと強誘電体および抵抗メモリ用の有望なサブミクロン集積回路を作製する機会を示した。Copyright 2018 Trans Tech Publications Ltd. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *不揮発性メモリ ,  FeRAM ,  集積回路 ,  強誘電体
準シソーラス用語： 抵抗メモリ ,  ReRAM , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： FERAM ,  原子層堆積 ,  RERAM ,  強誘電ヒステリシス ,  抵抗スイッチング ,  不揮発性メモリの要素

分類 (3件)： 非晶質金属の構造  (BK04020D) ,  金属薄膜  (BK14030T) ,  固体中の拡散一般  (BL06021L)

タイトルに関連する用語 (7件)： 基礎 ,  TiN ,  Si ,  Pt ,  試験 ,  不揮発性メモリ ,  パラメータ