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J-GLOBAL ID：201802239555147241   整理番号：18A2025025

GaN Schottkyダイオードのトラップ支援応力誘起ESD信頼性【JST・京大機械翻訳】

Trap Assisted Stress Induced ESD Reliability of GaN Schottky Diodes

著者 (9件)： Shankar Bhawani (Advance Nanoelectronic Device and Circuit Research Laboratory, Indian Institute of Science, Bangalore, 560012, India) ,  Singh Rahul (Advance Nanoelectronic Device and Circuit Research Laboratory, Indian Institute of Science, Bangalore, 560012, India) ,  Sengupta Rudrarup (Advance Nanoelectronic Device and Circuit Research Laboratory, Indian Institute of Science, Bangalore, 560012, India) ,  Khand Heena (Advance Nanoelectronic Device and Circuit Research Laboratory, Indian Institute of Science, Bangalore, 560012, India) ,  Soni Ankit (Advance Nanoelectronic Device and Circuit Research Laboratory, Indian Institute of Science, Bangalore, 560012, India) ,  Gupta Sayak Dutta (Advance Nanoelectronic Device and Circuit Research Laboratory, Indian Institute of Science, Bangalore, 560012, India) ,  Raghavan Srinivasan (Center for Nanoscience and Engineering, Indian Institute of Science, Bangalore, 560012, India) ,  Gossner Harald (Intel Deutschland GmbH, Am Campeon 10-12, Neubiberg, 85576, Germany) ,  Shrivastava Mayank (Advance Nanoelectronic Device and Circuit Research Laboratory, Indian Institute of Science, Bangalore, 560012, India)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： EOS/ESD  ページ： 1-6  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 後退したGaN Schottkyダイオードの電熱挙動と劣化を順方向と逆方向のESD応力の下で研究した。トラップ生成と劣化に及ぼすSchottky界面での異なる表面処理の影響を調べた。機械的応力と欠陥の進展を,オンザフライRaman分光法を用いて調べた。それぞれの場合に明確な破壊モードを発見した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *信頼性 ,  *ダイオード ,  Raman分光法 ,  *窒化ガリウム ,  表面処理 ,  電気加熱 ,  破壊モード ,  界面
準シソーラス用語： 機械的ストレス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (7件)： GaN ,  Schottkyダイオード ,  トラップ ,  支援 ,  応力 ,  誘起 ,  ESD